IPD320N20N3G
- 描述:类型:N沟道 漏源电压(Vdss):200V 连续漏极电流(Id):34A 功率(Pd):136W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):32mΩ@10V,34A
- 品牌: 英飞凌 (Infineon)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
1+ | 20.08355 | 20.08355 |
10+ | 17.71892 | 177.18929 |
30+ | 16.31066 | 489.31989 |
100+ | 14.88137 | 1488.13780 |
500+ | 12.49573 | 6247.86700 |
1000+ | 12.20146 | 12201.46900 |
- 库存: 10702
- 单价: ¥20.08356
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数量:
- +
- 总计: ¥20.08
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规格参数
- 类型 N沟道
- 漏源电压(Vdss) 200V
- 连续漏极电流(Id) 34A
- 功率(Pd) 136W
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 32mΩ@10V,34A
- 阈值电压(Vgs(th)@Id) 4V@90uA
IPD320N20N3G所属分类:分立场效应晶体管 (FET),IPD320N20N3G 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IPD320N20N3G价格参考¥20.083555,你可以下载 IPD320N20N3G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IPD320N20N3G规格参数、现货库存、封装信息等信息!
英飞凌 (Infineon)
1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。