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IPD320N20N3G
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IPD320N20N3G

  • 描述:类型:N沟道 漏源电压(Vdss):200V 连续漏极电流(Id):34A 功率(Pd):136W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):32mΩ@10V,34A
  • 品牌: 英飞凌 (Infineon)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 20.08355 20.08355
10+ 17.71892 177.18929
30+ 16.31066 489.31989
100+ 14.88137 1488.13780
500+ 12.49573 6247.86700
1000+ 12.20146 12201.46900
  • 库存: 10702
  • 单价: ¥20.08356
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥20.08
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规格参数

  • 类型 N沟道
  • 漏源电压(Vdss) 200V
  • 连续漏极电流(Id) 34A
  • 功率(Pd) 136W
  • 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 32mΩ@10V,34A
  • 阈值电压(Vgs(th)@Id) 4V@90uA
IPD320N20N3G所属分类:分立场效应晶体管 (FET),IPD320N20N3G 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IPD320N20N3G价格参考¥20.083555,你可以下载 IPD320N20N3G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IPD320N20N3G规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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