ASDM30N55E-R
- 描述:类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：55A 功率(Pd)：40W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：4.8mΩ@10V,30A
- 品牌: 安森德 (Ascend)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
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| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 0.94157 | 0.94157 |
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-
数量:
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规格参数
- 类型 N沟道
- 漏源电压(Vdss) 30V
- 连续漏极电流(Id) 55A
- 功率(Pd) 40W
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 4.8mΩ@10V,30A
- 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1.5V@250uA
- 栅极电荷(Qg@Vgs) 31.6nC@10V
- 输入电容(Ciss@Vds) 3.105nF@15V
- 反向传输电容(Crss@Vds) 305pF@15V
- 工作温度 -55℃~+150℃@(Tj)
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 | ASDMB-12.000MHZ-XY-T | 艾博康 (Abracon) | 种类: XO (Standard) 频率: 12兆赫 输出: 低压互补金属氧化物半导体 频率的稳定性: ±10ppm 工作温度: -40摄氏度~105摄氏度 安装类别: 表面安装 | ¥17.81406 |
 | ASDMB-48.000MHZ-LY-T | 艾博康 (Abracon) | 种类: XO (Standard) 频率: 48兆赫 输出: 低压互补金属氧化物半导体 频率的稳定性: ±10ppm 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度 安装类别: 表面安装 | ¥26.43659 |
 | ASDMB-29.4912MHZ-LY-T | 艾博康 (Abracon) | 种类: XO (Standard) 频率: 29.4912兆赫 输出: 低压互补金属氧化物半导体 频率的稳定性: ±10ppm 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度 安装类别: 表面安装 | ¥26.43659 |
ASDM30N55E-R所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，ASDM30N55E-R 由 安森德 (Ascend) 设计生产，可通过久芯网进行购买。ASDM30N55E-R价格参考￥0.941577，你可以下载 ASDM30N55E-R中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询ASDM30N55E-R规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安森德 (Ascend)
西安安森德半导体有限公司(以下简称“安森德")是一家专注于高性能、高品质模拟集成电路研发和销售的半导体公司。 安森德的技术团队由在欧美顶尖半导体公司工作过的资深专家组成,拥有先进的模拟集成电路设计、工...
