BSC011N03LS
- 描述:类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：37A 功率(Pd)：2.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.1mΩ@10V,30A
- 品牌: 英飞凌 (Infineon)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 8.72284 | 8.72284 |
| 10+ | 7.47221 | 74.72217 |
| 30+ | 6.78910 | 203.67309 |
| 100+ | 6.02191 | 602.19140 |
| 500+ | 5.50695 | 2753.47550 |
| 1000+ | 5.34930 | 5349.30900 |
- 库存: 7547
- 单价: ¥8.72284
-
数量:
- +
- 总计: ¥8.72
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规格参数
- 类型 N沟道
- 漏源电压(Vdss) 30V
- 连续漏极电流(Id) 37A
- 功率(Pd) 2.5W
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 1.1mΩ@10V,30A
- 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2.2V@250uA
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BSC011N03LS所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，BSC011N03LS 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产，可通过久芯网进行购买。BSC011N03LS价格参考￥8.722842，你可以下载 BSC011N03LS中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询BSC011N03LS规格参数、现货库存、封装信息等信息！
英飞凌 (Infineon)
1999年4月1日，西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司，致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。
