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LP4101LT1G
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LP4101LT1G

  • 描述:类型:P沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):2.3A 功率(Pd):900mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):69mΩ@4.5V,2.8A
  • 品牌: 乐山无线电 (LRC)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 0.28971 0.28971
  • 库存: 100
  • 单价: ¥0.28972
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥0.29
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规格参数

  • 类型 P沟道
  • 漏源电压(Vdss) 20V
  • 连续漏极电流(Id) 2.3A
  • 功率(Pd) 900mW
  • 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 69mΩ@4.5V,2.8A
  • 阈值电压(Vgs(th)@Id) 950mV@250uA
  • 栅极电荷(Qg@Vgs) 15.23nC@4.5V
  • 输入电容(Ciss@Vds) 882.51pF@6V
  • 反向传输电容(Crss@Vds) 97.26pF@6V
  • 工作温度 -55℃~+150℃@(Tj)
LP4101LT1G所属分类:分立场效应晶体管 (FET),LP4101LT1G 由 乐山无线电 (LRC) 设计生产,可通过久芯网进行购买。LP4101LT1G价格参考¥0.289716,你可以下载 LP4101LT1G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询LP4101LT1G规格参数、现货库存、封装信息等信息!

乐山无线电 (LRC)

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