TSP630M
- 描述:类型:N沟道 漏源电压(Vdss):200V 连续漏极电流(Id):9A
- 品牌: 信安 (Truesemi)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
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1+ | 1.63674 | 1.63674 |
10+ | 1.31011 | 13.10110 |
50+ | 1.17011 | 58.50595 |
100+ | 0.99545 | 99.54570 |
500+ | 0.87102 | 435.51200 |
1000+ | 0.82435 | 824.35800 |
- 库存: 956
- 单价: ¥1.63674
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数量:
- +
- 总计: ¥1.64
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规格参数
- 类型 N沟道
- 漏源电压(Vdss) 200V
- 连续漏极电流(Id) 9A
TSP630M所属分类:分立场效应晶体管 (FET),TSP630M 由 信安 (Truesemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。TSP630M价格参考¥1.636743,你可以下载 TSP630M中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询TSP630M规格参数、现货库存、封装信息等信息!
信安 (Truesemi)
信安半导体成立于2008年,属安联集团全资子公司,致力于大中华地区MOSFET产品销售,2009年安联集团投资韩国半导体DESIGN领域,同年收购韩国POWER SOLUSTION 8英寸VD-MOS芯...