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TSP630M
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TSP630M

  • 描述:类型:N沟道 漏源电压(Vdss):200V 连续漏极电流(Id):9A
  • 品牌: 信安 (Truesemi)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 1.63674 1.63674
10+ 1.31011 13.10110
50+ 1.17011 58.50595
100+ 0.99545 99.54570
500+ 0.87102 435.51200
1000+ 0.82435 824.35800
  • 库存: 956
  • 单价: ¥1.63674
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥1.64
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规格参数

  • 类型 N沟道
  • 漏源电压(Vdss) 200V
  • 连续漏极电流(Id) 9A
TSP630M所属分类:分立场效应晶体管 (FET),TSP630M 由 信安 (Truesemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。TSP630M价格参考¥1.636743,你可以下载 TSP630M中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询TSP630M规格参数、现货库存、封装信息等信息!

信安 (Truesemi)

信安 (Truesemi)

信安半导体成立于2008年,属安联集团全资子公司,致力于大中华地区MOSFET产品销售,2009年安联集团投资韩国半导体DESIGN领域,同年收购韩国POWER SOLUSTION 8英寸VD-MOS芯...

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