SI2302CDS-T1-BE3
- 描述:暂无
- 品牌: 威世半导体 (Vishay Cera-Mite)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 1.59281 | 1.59281 |
| 10+ | 1.27437 | 12.74374 |
| 30+ | 1.13786 | 34.13580 |
| 100+ | 0.96760 | 96.76080 |
| 600+ | 0.89183 | 535.09980 |
| 1200+ | 0.84632 | 1015.59120 |
- 库存: 7075
- 单价: ¥1.59282
-
数量:
- +
- 总计: ¥1.59
在线询价
温馨提示: 请填写以下信息，以便客户代表及时与您沟通联系。
规格参数
- 类型 N沟道
- 漏源电压(Vdss) 20V
- 连续漏极电流(Id) 2.6A
- 功率(Pd) 710mW
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 57mΩ@3.6A,4.5V
- 阈值电压(Vgs(th)@Id) 850mV@250uA
- 栅极电荷(Qg@Vgs) 5.5nC@4.5V
- 工作温度 -55℃~+150℃@(Tj)
SI2302CDS-T1-BE3 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
| SI2150-A10-GM | 思佳讯商贸 (Skyworks) | TV TUNER | ¥10.71949 |
 | SI2304DS,215 | 恩智浦 (NXP) | MOSFET N-CH 30V 1.7A SOT23 | ¥0.86915 |
| SI2435-E-FT18-EVB | 思佳讯商贸 (Skyworks) | 采用的IC/零件: Si2435 种类: 电信 功能: 调制解调器 | ¥2,780.20165 |
| SI24XX-LOGTOOL | 思佳讯商贸 (Skyworks) | TOOL MODEM LOG SI24XX | ¥2,377.48193 |
 | SI2493-D-GT | 芯科 (Silicon) | 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 24 TSSOP 安装类别: 表面安装 | ¥458.22244 |
 | SI2176-B30-GMR | 思佳讯商贸 (Skyworks) | 电源电压: 1.8伏、3.3伏 功能: 调谐器 标准: NTSC、PAL、SECAM 应用及使用: 专业视频 供应商设备包装: 32-QFN（5x5） 安装类别: 表面安装 | ¥164.06399 |
 | SI2165-D-GM | 芯科 (Silicon) | 电源电压: 1.14伏~3.6伏 功能: 解调器 应用及使用: 消费者视频 供应商设备包装: 36-QFN（5x6） 安装类别: 表面安装 | ¥34.62863 |
 | SI2181-B60-GMR | 芯科 (Silicon) | 功能: 解调器 电源电压: 1.14伏~ 1.3伏 供应商设备包装: 48-QFN（7x7） | ¥51.14948 |
| SI2302-HXY | 华轩阳电子 (HXY MOSFET) | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2.8A 功率(Pd)：900mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：55mΩ@4.5V,2.8A | ¥0.08823 |
 | SI2302 | 伯恩半导体 (BORN) | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：3A 功率(Pd)：1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：45mΩ@4.5V,3A | ¥0.14848 |
SI2302CDS-T1-BE3所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，SI2302CDS-T1-BE3 由 威世半导体 (Vishay Cera-Mite) 设计生产，可通过久芯网进行购买。SI2302CDS-T1-BE3价格参考￥1.592815，你可以下载 SI2302CDS-T1-BE3中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询SI2302CDS-T1-BE3规格参数、现货库存、封装信息等信息！
威世半导体 (Vishay Cera-Mite)
Vishay的产品组合是无可匹敌的分立半导体（二极管、MOSFET和光电子）和无源元件（电阻器、电感器和电容器）的集合。这些组件几乎用于工业、计算、汽车、消费者、电信、军事、航空航天和医疗市场的所有类型...
