IPP075N15N3G
- 描述:类型:N沟道 漏源电压(Vdss):150V 连续漏极电流(Id):100A 功率(Pd):300W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7.5mΩ@10V,100A
- 品牌: 英飞凌 (Infineon)
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规格参数
- 类型 N沟道
- 漏源电压(Vdss) 150V
- 连续漏极电流(Id) 100A
- 功率(Pd) 300W
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 7.5mΩ@10V,100A
- 阈值电压(Vgs(th)@Id) 4V@270uA
IPP075N15N3G所属分类:分立场效应晶体管 (FET),IPP075N15N3G 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IPP075N15N3G价格参考¥11.873286,你可以下载 IPP075N15N3G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IPP075N15N3G规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。