BSC054N04NSG
- 描述:类型:N沟道 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id):81A 功率(Pd):57W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5.4mΩ@10V,50A
- 品牌: 英飞凌 (Infineon)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
100+ | 5.27706 | 527.70610 |
1000+ | 4.97834 | 4978.34900 |
3000+ | 4.43073 | 13292.20500 |
10000+ | 3.68536 | 36853.61000 |
50000+ | 3.47675 | 173837.55000 |
- 库存: 7500
- 单价: ¥5.27706
-
数量:
- +
- 总计: ¥5.28
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规格参数
- 类型 N沟道
- 漏源电压(Vdss) 40V
- 连续漏极电流(Id) 81A
- 功率(Pd) 57W
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 5.4mΩ@10V,50A
- 阈值电压(Vgs(th)@Id) 4V@27uA
- 栅极电荷(Qg@Vgs) -
- 输入电容(Ciss@Vds) -
- 反向传输电容(Crss@Vds) -
- 工作温度 -
BSC054N04NSG所属分类:分立场效应晶体管 (FET),BSC054N04NSG 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。BSC054N04NSG价格参考¥5.277061,你可以下载 BSC054N04NSG中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询BSC054N04NSG规格参数、现货库存、封装信息等信息!
英飞凌 (Infineon)
1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。