BSC057N08NS3G
- 描述:类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：80V 连续漏极电流(Id)：16A 功率(Pd)：2.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：5.7mΩ@10V,50A
- 品牌: 英飞凌 (Infineon)
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渠道:
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| 数量 | 单价 | 合计 |
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规格参数
- 类型 N沟道
- 漏源电压(Vdss) 80V
- 连续漏极电流(Id) 16A
- 功率(Pd) 2.5W
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 5.7mΩ@10V,50A
- 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3.5V@73uA
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BSC057N08NS3G所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，BSC057N08NS3G 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产，可通过久芯网进行购买。BSC057N08NS3G价格参考￥7.613012，你可以下载 BSC057N08NS3G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询BSC057N08NS3G规格参数、现货库存、封装信息等信息！
英飞凌 (Infineon)
1999年4月1日，西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司，致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。
