BSC123N08NS3G
- 描述:类型:N沟道 漏源电压(Vdss):80V 连续漏极电流(Id):11A 功率(Pd):2.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):12.3mΩ@10V,33A
- 品牌: 英飞凌 (Infineon)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
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1+ | 12.55879 | 12.55879 |
10+ | 10.39384 | 103.93844 |
30+ | 9.02761 | 270.82848 |
100+ | 7.64036 | 764.03690 |
500+ | 6.57891 | 3289.45700 |
1000+ | 6.31617 | 6316.17800 |
- 库存: 8457
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规格参数
- 类型 N沟道
- 漏源电压(Vdss) 80V
- 连续漏极电流(Id) 11A
- 功率(Pd) 2.5W
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 12.3mΩ@10V,33A
- 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3.5V@33uA
BSC123N08NS3G所属分类:分立场效应晶体管 (FET),BSC123N08NS3G 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。BSC123N08NS3G价格参考¥12.558790,你可以下载 BSC123N08NS3G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询BSC123N08NS3G规格参数、现货库存、封装信息等信息!
英飞凌 (Infineon)
1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。