FF200R12KT4
- 描述:IGBT类型：IGBT模块 功率(Pd)：1.1kW 集射极击穿电压(Vces)：1.2kV 集电极电流(Ic)：320A
- 品牌: 英飞凌 (Infineon)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 158.09362 | 158.09362 |
| 10+ | 154.17360 | 1541.73601 |
- 库存: 0
- 单价: ¥158.09363
-
数量:
- +
- 总计: ¥158.09
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规格参数
- IGBT类型 IGBT模块
- 功率(Pd) 1.1kW
- 集射极击穿电压(Vces) 1.2kV
- 集电极电流(Ic) 320A
- 集电极脉冲电流(Icm) 400A
- 集电极截止电流(Ices@Vce) 5mA@1.2kV
- 集射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Vge) 1.75V@200A,15V
- 栅极阈值电压(Vge(th)@Ic) 5.8V@7.6mA
- 栅极电荷(Qg@Ic,Vge) -
- 输入电容(Cies@Vce) 1.4nF@25V
- 开启延迟时间(Td(on)) 160ns
- 关断延迟时间(Td(off)) 450ns
- 导通损耗(Eon) 10mJ
- 关断损耗(Eoff) 14mJ
- 正向压降(Vf@If) 1.65V@200A
- 反向恢复时间(Trr) -
- 工作温度 -40℃~+150℃@(Tvjop)
FF200R12KT4 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
| FF2-11-AC-03 | 霍尼韦尔 (Honeywell) | 种类: 簧片开关 输出类别: 数控 电源电压: 230VAC 包装/外壳: 气缸，螺纹 工作温度: -10摄氏度~55摄氏度（TA） | ¥247.39863 |
| FF2-11-DC-03 | 霍尼韦尔 (Honeywell) | 种类: 簧片开关 输出类别: 数控 电源电压: 30伏 包装/外壳: 气缸，螺纹 工作温度: -10摄氏度~55摄氏度（TA） | ¥941.57163 |
| FF2-10-DC-03 | 霍尼韦尔 (Honeywell) | 种类: 簧片开关 输出类别: 数控 电源电压: 30伏 包装/外壳: 气缸，螺纹 工作温度: -10摄氏度~55摄氏度（TA） | ¥209.58824 |
| FF2-10-AC-03 | 霍尼韦尔 (Honeywell) | 种类: 簧片开关 输出类别: 数控 电源电压: 230VAC 包装/外壳: 气缸，螺纹 工作温度: -10摄氏度~55摄氏度（TA） | ¥3,785.7914 |
| FF225R12ME4BDLA1 | 英飞凌 (Infineon) | FF225R12 - INSULATEDGATEBIPOLART | ¥619.19552 |
 | FF200R12KT3EHOSA1 | 英飞凌 (Infineon) | 参数配置: 2独立 集电极击穿电压: 1200伏 最大功率: 1050瓦 供应商设备包装: Module | ¥701.61972 |
 | FF200R12KS4PHOSA1 | 英飞凌 (Infineon) | 参数配置: 半桥 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 275 A 最大功率: 1400 W 供应商设备包装: Module | ¥1,224.0501 |
 | FF225R12ME4BOSA1 | 英飞凌 (Infineon) | 参数配置: 2独立 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 320 A 最大功率: 1050瓦 供应商设备包装: Module | ¥1,082.37898 |
 | FF200R33KF2CNOSA1 | 英飞凌 (Infineon) | 参数配置: 2独立 集电极击穿电压: 3300伏 最大集电极电流 (Ic): 330 A 最大功率: 2200 W 供应商设备包装: Module | ¥8,454.34745 |
| FF200R12KS4 | 英飞凌 (Infineon) | 四件套 | ¥676.28297 |
FF200R12KT4所属分类：单绝缘栅双极晶体管（IGBT），FF200R12KT4 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产，可通过久芯网进行购买。FF200R12KT4价格参考￥158.093625，你可以下载 FF200R12KT4中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询FF200R12KT4规格参数、现货库存、封装信息等信息！
英飞凌 (Infineon)
1999年4月1日，西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司，致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。
