FS30R06W1E3_B11
- 描述:IGBT类型:IGBT模块 功率(Pd):150W 集射极击穿电压(Vces):600V 集电极电流(Ic):45A
- 品牌: 英飞凌 (Infineon)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
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1+ | 306.76027 | 306.76027 |
30+ | 295.58873 | 8867.66196 |
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- +
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规格参数
- IGBT类型 IGBT模块
- 功率(Pd) 150W
- 集射极击穿电压(Vces) 600V
- 集电极电流(Ic) 45A
- 集电极脉冲电流(Icm) 60A
- 集电极截止电流(Ices@Vce) 1mA@600V
- 集射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Vge) 1.55V@30A,15V
- 栅极阈值电压(Vge(th)@Ic) 5.8V@300uA
- 栅极电荷(Qg@Ic,Vge) -
- 输入电容(Cies@Vce) 1.65nF@25V
- 开启延迟时间(Td(on)) 23ns
- 关断延迟时间(Td(off)) 150ns
- 导通损耗(Eon) 0.6mJ
- 关断损耗(Eoff) 0.62mJ
- 正向压降(Vf@If) 1.6V@30A
- 反向恢复时间(Trr) -
- 工作温度 -40℃~+150℃@(Tvjop)
FS30R06W1E3_B11所属分类:单绝缘栅双极晶体管(IGBT),FS30R06W1E3_B11 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。FS30R06W1E3_B11价格参考¥306.760275,你可以下载 FS30R06W1E3_B11中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询FS30R06W1E3_B11规格参数、现货库存、封装信息等信息!
英飞凌 (Infineon)
1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。