ULN2003AM/TR
- 描述:开态输入电压(VI(on)@Vce,Ic):3V@2V,300mA 集射极饱和压降(VCE(sat)@Ii,Ic):900mV@100mA 开态输入电流(Ii@Vi):930uA@3.85V
- 品牌: 华冠 (HGSEMI)
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渠道:
- 自营
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数量 | 单价 | 合计 |
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1+ | 0.95961 | 0.95961 |
10+ | 0.78253 | 7.82530 |
30+ | 0.70665 | 21.19962 |
100+ | 0.58054 | 58.05400 |
500+ | 0.53840 | 269.20050 |
1000+ | 0.51307 | 513.07300 |
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规格参数
- 开态输入电压(VI(on)@Vce,Ic) 3V@2V,300mA
- 集射极饱和压降(VCE(sat)@Ii,Ic) 900mV@100mA
- 输出漏电流(Icex@Vce) 20uA@50V
- 开态输入电流(Ii@Vi) 930uA@3.85V
- 关态输入电流(Ii(off)@Vce,Ic) 100uA@500uA
- 嵌位二极管漏电流(IR@VR) 5uA@50V
- 嵌位二极管正向压降(VF@IF) 1.7V@350mA
- 输入电容(Ci) 15pF
- 工作温度 -40℃~+85℃
ULN2003AM/TR所属分类:配电开关/负载驱动器,ULN2003AM/TR 由 华冠 (HGSEMI) 设计生产,可通过久芯网进行购买。ULN2003AM/TR价格参考¥0.959619,你可以下载 ULN2003AM/TR中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询ULN2003AM/TR规格参数、现货库存、封装信息等信息!
华冠 (HGSEMI)
广东华冠半导体有限公司成立于2011年,是一家专业从事半导体器件的研发,封装、测试和销售为一体的准高新技术企业。公司拥有了国际先进水平的半导体分立器件和集成电路封装测试生产线,有丰富的半导体器件的设计、...