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S8050

Name: S8050
Brand: 杰盛微 (JSMSEMI)
SKU: 27353692-S8050
Price: 0.091985 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：25V 集电极电流(Ic)：500mA 功率(Pd)：300mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：120@50mA,1V
品牌: 杰盛微 (JSMSEMI)
交期:2-3 工作日

渠道:

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数量	单价	合计
1+	0.13636	0.13636
30+	0.11962	3.58872
100+	0.10492	10.49280
500+	0.08881	44.40600
1000+	0.08073	80.73700

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规格参数

晶体管类型 NPN
集射极击穿电压(Vceo) 25V
集电极电流(Ic) 500mA
功率(Pd) 300mW
集电极截止电流(Icbo) 100nA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) 600mV@500mA,50mA
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) 120@50mA,1V
特征频率(fT) 150MHz
工作温度 -55℃~+150℃@(Tj)

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型号	制造商	描述	价格
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S805CHI	约翰森科技 (Johanson)	电容阈值: 5.6皮法 ~ 220皮法量: 1400 Pieces (28 Values - 50 Each) 公差: ±0.1皮法, ±0.25皮法, ±5% 安装类别: 表面安装，MLCC	¥834.99106
S805CLO	约翰森科技 (Johanson)	电容阈值: 0.3皮法~5.1皮法量: 1400 Pieces (28 Values - 50 Each) 公差: ±0.1皮法安装类别: 表面安装，MLCC	¥812.47955
S80KS2563GABHA020	英飞凌 (Infineon)	存储类型: Volatile 存储格式: PSRAM 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 1.7伏~2伏时钟频率: 200兆赫供应商设备包装: 24-FBGA (6x8)	¥100.53145
S80KS2562GABHA020	英飞凌 (Infineon)	存储类型: Volatile 存储格式: PSRAM 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 1.7伏~2伏时钟频率: 200兆赫供应商设备包装: 24-FBGA (6x8)	¥100.53145
S80KS2562GABHB020	英飞凌 (Infineon)	存储类型: Volatile 存储格式: PSRAM 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 1.7伏~2伏时钟频率: 200兆赫供应商设备包装: 24-FBGA (6x8)	¥107.05006
S80KS2563GABHB020	英飞凌 (Infineon)	存储类型: Volatile 存储格式: PSRAM 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 1.7伏~2伏时钟频率: 200兆赫供应商设备包装: 24-FBGA (6x8)	¥107.05006
S80KS2563GABHM020	英飞凌 (Infineon)	存储类型: Volatile 存储格式: PSRAM 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 1.7伏~2伏时钟频率: 200兆赫供应商设备包装: 24-FBGA (6x8)	¥114.00325