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S8050-J3Y

Name: S8050-J3Y
Brand: 深圳辰达行电子有限公司 (MDD)
SKU: 27353704-S8050-J3Y
Price: 0.063738 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：25V 集电极电流(Ic)：500mA 功率(Pd)：300mW
品牌: 深圳辰达行电子有限公司 (MDD)
交期:2-3 工作日

渠道:

自营
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起订量: 1

数量	单价	合计
1+	0.04160	0.04160
30+	0.03851	1.15554
100+	0.03544	3.54400
500+	0.03327	16.63700
1000+	0.03082	30.82600

库存: 54
单价: ¥0.06374
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规格参数

晶体管类型 NPN
集射极击穿电压(Vceo) 25V
集电极电流(Ic) 500mA
功率(Pd) 300mW
集电极截止电流(Icbo) 100nA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) 600mV@500mA,50mA
特征频率(fT) 150MHz
工作温度 +150℃@(Tj)

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型号	制造商	描述	价格
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S80KS2562GABHA020	英飞凌 (Infineon)	存储类型: Volatile 存储格式: PSRAM 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 1.7伏~2伏时钟频率: 200兆赫供应商设备包装: 24-FBGA (6x8)	¥100.53145
S80KS2562GABHB020	英飞凌 (Infineon)	存储类型: Volatile 存储格式: PSRAM 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 1.7伏~2伏时钟频率: 200兆赫供应商设备包装: 24-FBGA (6x8)	¥107.05006
S80KS2563GABHB020	英飞凌 (Infineon)	存储类型: Volatile 存储格式: PSRAM 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 1.7伏~2伏时钟频率: 200兆赫供应商设备包装: 24-FBGA (6x8)	¥107.05006
S80KS2563GABHM020	英飞凌 (Infineon)	存储类型: Volatile 存储格式: PSRAM 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 1.7伏~2伏时钟频率: 200兆赫供应商设备包装: 24-FBGA (6x8)	¥114.00325

S8050-J3Y所属分类：分立双极结型晶体管，S8050-J3Y 由深圳辰达行电子有限公司 (MDD) 设计生产，可通过久芯网进行购买。S8050-J3Y价格参考￥0.063738，你可以下载 S8050-J3Y中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询S8050-J3Y规格参数、现货库存、封装信息等信息！