2SC3356
- 描述:集射极击穿电压(Vceo)：12V 集电极电流(Ic)：100mA 功率(Pd)：200mW
- 品牌: 鲁光 (LGE)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 0.42298 | 0.42298 |
- 库存: 5
- 单价: ¥0.42299
-
数量:
- +
- 总计: ¥0.42
在线询价
温馨提示: 请填写以下信息，以便客户代表及时与您沟通联系。
规格参数
- 晶体管类型 -
- 集射极击穿电压(Vceo) 12V
- 集电极电流(Ic) 100mA
- 功率(Pd) 200mW
- 集电极截止电流(Icbo) 1uA
- 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) -
- 特征频率(fT) 7GHz
- 工作温度 -65℃~+150℃@(Tj)
2SC3356 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
| 2SC5231C9-TL-E | 安盛美 (onsemi) | 2SC5231 - RF SMALL SIGNAL BIPOLA | ¥1.20522 |
| 2SC4901YK-TR-E | 瑞萨电子 (Renesas) | 2SC4731 - BIPOLAR NPN TRANSISTOR | ¥3.58712 |
| 2SC3380ASTR-E | 瑞萨电子 (Renesas) | 2SC3380ASTR - SILICON NPN TRIPLE | ¥2.20329 |
 | 2SC2619FCTL-E | 瑞萨电子 (Renesas) | SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR, | ¥1.08644 |
 | 2SC5300 | 安盛美 (onsemi) | POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN | ¥33.17248 |
| 2SCR513RHZGTL | 罗姆 (Rohm) | 晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 1A 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 500 mW 特征频率: 360兆赫 供应商设备包装: TSMT3 | ¥4.63546 |
| 2SCR514RHZGTL | 罗姆 (Rohm) | 晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 700 mA 集电极击穿电压: 80 V 最大功率: 500 mW 特征频率: 320兆赫 供应商设备包装: TSMT3 | ¥5.14246 |
| 2SC4942-T1-AZ | 瑞萨电子 (Renesas) | 2SC4942-T1-AZ - NPN SILICON TRIP | ¥8.37185 |
| 2SC4942-AZ | 瑞萨电子 (Renesas) | 2SC4942-AZ - NPN SILICON TRIPLE | ¥8.37185 |
 | 2SCR522EBTL | 罗姆 (Rohm) | 晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 200毫安 集电极击穿电压: 20伏 最大功率: 150 mW 特征频率: 400MHz 供应商设备包装: EMT3F（SOT-416FL） | ¥1.23129 |
鲁光 (LGE)
鲁光电子科技有限公司（简称LGE）成立于2002年9月,是一家从事半导体器件研发、生产和销售的双高新企业，产品符合AEC-Q101标准。先后引进了10多条自动化生产线，具备规模化、系列化的封装测试能力，...
