MMBT8550D(2TY)
- 描述:晶体管类型：PNP 集射极击穿电压(Vceo)：25V 集电极电流(Ic)：600mA 功率(Pd)：350mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：160@100mA,1V
- 品牌:
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
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起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 0.05864 | 0.05864 |
| 10+ | 0.05237 | 0.52373 |
| 60+ | 0.04838 | 2.90298 |
| 120+ | 0.04689 | 5.62776 |
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-
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- +
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规格参数
- 晶体管类型 PNP
- 集射极击穿电压(Vceo) 25V
- 集电极电流(Ic) 600mA
- 功率(Pd) 350mW
- 集电极截止电流(Icbo) 100nA
- 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) 500mV@500mA,50mA
- 直流电流增益(hFE@Ic,Vce) 160@100mA,1V
- 特征频率(fT) 100MHz
- 工作温度 +150℃@(Tj)
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MMBT8550D(2TY)所属分类：分立双极结型晶体管，MMBT8550D(2TY) 由 设计生产，可通过久芯网进行购买。MMBT8550D(2TY)价格参考￥0.058646，你可以下载 MMBT8550D(2TY)中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询MMBT8550D(2TY)规格参数、现货库存、封装信息等信息！