S9012-G
- 描述:晶体管类型：PNP 集射极击穿电压(Vceo)：25V 集电极电流(Ic)：500mA 功率(Pd)：300mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：200@50mA,1V H档(200-350)
- 品牌: 江苏长电/长晶 (CJ)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 0.24388 | 0.24388 |
| 30+ | 0.21394 | 6.41823 |
| 100+ | 0.18766 | 18.76640 |
| 500+ | 0.15883 | 79.41850 |
| 1000+ | 0.14440 | 144.40200 |
- 库存: 0
- 单价: ¥0.12506
-
数量:
- +
- 总计: ¥0.24
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规格参数
- 晶体管类型 PNP
- 集射极击穿电压(Vceo) 25V
- 集电极电流(Ic) 500mA
- 功率(Pd) 300mW
- 集电极截止电流(Icbo) 100nA
- 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) 600mV@500mA,50mA
- 直流电流增益(hFE@Ic,Vce) 200@50mA,1V
- 特征频率(fT) 150MHz
- 工作温度 +150℃@(Tj)
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器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | S908QC8E0CDTE | 8-BIT EEPROM EMULATION Q MCUS | ¥52.72831 | |
| S908GR8E0CDWE | MICROCONTROLLER, CMOS | ¥52.72831 | |
| S908AB32AH3CFUE | AUTO 32K FLASH & 512 EE | ¥118.71519 | |
| S908QY1E0CDTER | S908Q - 8-BIT MCU, HC08 CORE, 1. | ¥11.29892 | |
| S908QB4E0CDTE | MICROCONTROLLER, 8-BIT, HC08/S08 | ¥19.96158 | |
| S908GZ60H0CFJE | 8-BIT MCU, HC08 CORE, 60KB FLASH | ¥45.1957 | |
| S9013 | 伯恩半导体 (BORN) | 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：25V 集电极电流(Ic)：500mA 功率(Pd)：300mW 200-350 | ¥0.08474 |
| S9013 J3 | 创基 (CBI) | 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：25V 集电极电流(Ic)：500mA 功率(Pd)：300mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：200@50mA,1V (200-350) | ¥0.09683 |
| S9012 2T1 | 创基 (CBI) | 晶体管类型：PNP 集射极击穿电压(Vceo)：25V 集电极电流(Ic)：500mA 功率(Pd)：300mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：200@50mA,1V (200-350) | ¥0.10677 |
| S9015 | 固得沃克 (GOODWORK) | 晶体管类型：PNP 集射极击穿电压(Vceo)：45V 集电极电流(Ic)：100mA 功率(Pd)：200mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：300@1mA,5V (300-400) | ¥0.04636 |
S9012-G所属分类：分立双极结型晶体管，S9012-G 由 江苏长电/长晶 (CJ) 设计生产，可通过久芯网进行购买。S9012-G价格参考￥0.125063，你可以下载 S9012-G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询S9012-G规格参数、现货库存、封装信息等信息！
江苏长电/长晶 (CJ)
江苏长晶科技股份有限公司是一家以自主研发、销售服务为主体的半导体产品研发、设计和销售公司，公司成立于2018年11月，总部坐落于江苏南京江北新区研创园，在深圳、上海、北京、香港、台湾等地设立子公司、分公...
