2SC5198-O(S1,E,S)
- 描述:晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：140V 集电极电流(Ic)：10A 功率(Pd)：100W 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：80@1A,5V
- 品牌: 东芝 (Toshiba)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
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| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 5.05337 | 5.05337 |
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规格参数
- 晶体管类型 NPN
- 集射极击穿电压(Vceo) 140V
- 集电极电流(Ic) 10A
- 功率(Pd) 100W
- 集电极截止电流(Icbo) 5uA
- 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) 300mV@7A,700mA
- 直流电流增益(hFE@Ic,Vce) 80@1A,5V
- 特征频率(fT) 30MHz
- 工作温度 +150℃@(Tj)
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器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
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2SC5198-O(S1,E,S)所属分类：分立双极结型晶体管，2SC5198-O(S1,E,S) 由 东芝 (Toshiba) 设计生产，可通过久芯网进行购买。2SC5198-O(S1,E,S)价格参考￥5.053371，你可以下载 2SC5198-O(S1,E,S)中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询2SC5198-O(S1,E,S)规格参数、现货库存、封装信息等信息！
东芝 (Toshiba)
东芝电子设备和存储公司提供了一系列支持技术解决方案，使OEM、ODM、CMs和无晶圆厂芯片公司能够为计算、网络、通信、数字消费、汽车和其他市场开发先进的集成产品。
