MMBT3906Q-7-F
- 描述:晶体管类型：PNP 集射极击穿电压(Vceo)：40V 集电极电流(Ic)：200mA 功率(Pd)：310mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：100@10mA,1V
- 品牌: 达尔科技 (Diodes rporated)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 0.16028 | 0.16028 |
| 10+ | 0.14122 | 1.41222 |
| 30+ | 0.13821 | 4.14648 |
| 100+ | 0.13247 | 13.24730 |
- 库存: 6000
- 单价: ¥0.16029
-
数量:
- +
- 总计: ¥0.16
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规格参数
- 晶体管类型 PNP
- 集射极击穿电压(Vceo) 40V
- 集电极电流(Ic) 200mA
- 功率(Pd) 310mW
- 集电极截止电流(Icbo) 50nA
- 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) 400mV@50mA,5mA
- 直流电流增益(hFE@Ic,Vce) 100@10mA,1V
- 特征频率(fT) 250MHz
- 工作温度 -55℃~+150℃@(Tj)
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器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
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 | MMBT4124LT1 | 安盛美 (onsemi) | TRANS NPN GP 20V 200MA SOT-23 | ¥0.14486 |
| MMBT4401LT3 | 安盛美 (onsemi) | TRANS NPN GP 40V 600MA SOT-23 | ¥0.14486 |
| MMBZ5239ELT1G | 安盛美 (onsemi) | DIODE ZENER 225MW 9.1V SOT-23 | ¥0.14486 |
 | MMBD4148,215 | 恩智浦 (NXP) | DIODE SWITCH 75V 0.215A TO236AB | ¥0.14486 |
MMBT3906Q-7-F所属分类：分立双极结型晶体管，MMBT3906Q-7-F 由 达尔科技 (Diodes rporated) 设计生产，可通过久芯网进行购买。MMBT3906Q-7-F价格参考￥0.160285，你可以下载 MMBT3906Q-7-F中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询MMBT3906Q-7-F规格参数、现货库存、封装信息等信息！
达尔科技 (Diodes rporated)
Diodes Incorporated为消费电子、计算、通信、工业和汽车市场的世界领先公司提供高质量的半导体产品。他们利用离散、模拟和混合信号产品的扩展产品组合以及领先的封装技术来满足客户的需求。他们广...
