UMH2N-TN
- 描述:晶体管类型：2个NPN-预偏置 功率(Pd)：150mW 集电极电流(Ic)：100mA 集射极击穿电压(Vceo)：50V
- 品牌: 罗姆 (Rohm)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 0.39916 | 0.39916 |
| 10+ | 0.35110 | 3.51107 |
| 30+ | 0.34352 | 10.30572 |
| 100+ | 0.33213 | 33.21380 |
- 库存: 2580
- 单价: ¥0.39916
-
数量:
- +
- 总计: ¥0.40
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规格参数
- 晶体管类型 2个NPN-预偏置
- 功率(Pd) 150mW
- 集电极电流(Ic) 100mA
- 集射极击穿电压(Vceo) 50V
UMH2N-TN 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | UMHV1210N | HVM科技公司 (HVM) | 功率（瓦特）: 500 mW 效率值: 55% 包装/外壳: 5-DIP Module 工作温度: -55摄氏度~70摄氏度 安装类别: 通孔 | ¥1,094.54705 |
 | UMHV0530N | HVM科技公司 (HVM) | 功率（瓦特）: 500 mW 效率值: 55% 包装/外壳: 5-DIP Module 工作温度: -55摄氏度~70摄氏度 安装类别: 通孔 | ¥1,723.52048 |
 | UMHV1230N | HVM科技公司 (HVM) | 功率（瓦特）: 500 mW 效率值: 55% 包装/外壳: 5-DIP Module 工作温度: -55摄氏度~70摄氏度 安装类别: 通孔 | ¥1,723.52048 |
 | UMHV1240 | HVM科技公司 (HVM) | 功率（瓦特）: 500 mW 效率值: 55% 包装/外壳: 5-DIP Module 工作温度: -55摄氏度~70摄氏度 安装类别: 通孔 | ¥2,006.93516 |
 | UMHV0540N | HVM科技公司 (HVM) | 功率（瓦特）: 500 mW 效率值: 55% 包装/外壳: 5-DIP Module 工作温度: -55摄氏度~70摄氏度 安装类别: 通孔 | ¥2,006.93516 |
 | UMHV1240N | HVM科技公司 (HVM) | 功率（瓦特）: 500 mW 效率值: 55% 包装/外壳: 5-DIP Module 工作温度: -55摄氏度~70摄氏度 安装类别: 通孔 | ¥2,006.93516 |
 | UMHV1250 | HVM科技公司 (HVM) | 功率（瓦特）: 500 mW 效率值: 55% 包装/外壳: 5-DIP Module 工作温度: -55摄氏度~70摄氏度 安装类别: 通孔 | ¥2,177.07088 |
 | UMHV1250N | HVM科技公司 (HVM) | 功率（瓦特）: 500 mW 效率值: 55% 包装/外壳: 5-DIP Module 工作温度: -55摄氏度~70摄氏度 安装类别: 通孔 | ¥2,177.07088 |
 | UMHV1230 | HVM科技公司 (HVM) | 功率（瓦特）: 500 mW 效率值: 55% 包装/外壳: 5-DIP Module 工作温度: -55摄氏度~70摄氏度 安装类别: 通孔 | ¥1,723.52048 |
 | UMHV0550N | HVM科技公司 (HVM) | 功率（瓦特）: 500 mW 效率值: 55% 包装/外壳: 5-DIP Module 工作温度: -55摄氏度~70摄氏度 安装类别: 通孔 | ¥2,177.07088 |
UMH2N-TN所属分类：预偏置双极晶体管阵列，UMH2N-TN 由 罗姆 (Rohm) 设计生产，可通过久芯网进行购买。UMH2N-TN价格参考￥0.399163，你可以下载 UMH2N-TN中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询UMH2N-TN规格参数、现货库存、封装信息等信息！
罗姆 (Rohm)
ROHM于1958年在日本京都成立。ROHM设计和制造半导体、集成电路和其他电子元件。这些组件在动态且不断增长的无线、计算机、汽车和消费电子市场中找到了一席之地。一些最具创新性的设备和装置使用ROHM产...
