PDTC114TE
- 描述:晶体管类型：1个NPN-预偏置 功率(Pd)：150mW 集电极电流(Ic)：100mA 集射极击穿电压(Vceo)：50V 集电极截止电流(Icbo)：500nA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：250@1mA,5V
- 品牌: 芯导 (Prisemi)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
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- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 0.21688 | 0.21688 |
| 10+ | 0.17432 | 1.74322 |
| 30+ | 0.15067 | 4.52022 |
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规格参数
- 晶体管类型 1个NPN-预偏置
- 功率(Pd) 150mW
- 集电极电流(Ic) 100mA
- 集射极击穿电压(Vceo) 50V
- 集电极截止电流(Icbo) 500nA
- 集射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) 300mV@5mA,250uA
- 最小输入电压(VI(on)@Ic/Io,Vce/Vo) -
- 最大输入电压(VI(off)@Ic/Io,Vce/Vcc) -
- 输出电压(VO(on)@Io/Ii) -
- 直流电流增益(hFE@Ic,Vce) 250@1mA,5V
- 输入电阻 10kΩ
- 电阻比率 -
- 特征频率(fT) 250MHz
- 工作温度 +150℃@(Tj)
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PDTC114TE所属分类：预偏置双极晶体管阵列，PDTC114TE 由 芯导 (Prisemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。PDTC114TE价格参考￥0.216881，你可以下载 PDTC114TE中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询PDTC114TE规格参数、现货库存、封装信息等信息！
芯导 (Prisemi)
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