TB6552FNG(O,C,8,EL
- 描述:暂无
- 品牌: 东芝 (Toshiba)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 4.45600 | 4.45600 |
| 10+ | 3.67830 | 36.78307 |
| 30+ | 3.28945 | 98.68371 |
| 100+ | 2.90060 | 290.06080 |
| 500+ | 2.66940 | 1334.70000 |
| 1000+ | 2.54328 | 2543.28600 |
- 库存: 2000
- 单价: ¥4.45601
-
数量:
- +
- 总计: ¥4.46
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TB6552FNG(O,C,8,EL 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | TB6M | 开关工艺 (Switchcraft) | 连接端子种类: 插座，公销 主要材质: 金属 针位数: 6 连接头表面工艺: 金 端接: 焊杯 安装类别: 面板安装 | ¥114.22053 |
| TB612CTT | 百通 (Belden) | C TAP TOOL FOR 6-12 AWG | ¥3,150.6615 |
 | TB602-038.88M | 康纳·温菲尔德 (Connor Winfield) | 种类: TCXO 频率: 38.88兆赫 输出: 低压互补金属氧化物半导体 频率的稳定性: ±280ppb 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度 安装类别: 表面安装 | ¥162.96525 |
 | TB612-060.0M | 康纳·温菲尔德 (Connor Winfield) | 种类: TCXO 频率: 60 MHz 输出: 低压互补金属氧化物半导体 频率的稳定性: ±500ppb 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度 安装类别: 表面安装 | ¥162.96525 |
 | TB622-098.304M | 康纳·温菲尔德 (Connor Winfield) | 种类: TCXO 频率: 98.304兆赫 输出: 低压互补金属氧化物半导体 频率的稳定性: ±1ppm 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度 安装类别: 表面安装 | ¥195.5583 |
 | TB62D787FTG,EL | 东芝 (Toshiba) | 种类: 线性的 输出电流 / 通道: 40毫安 最小电源电压: 28伏 最大电源电压: 7V 供应商设备包装: 40-VQFN（6x6） 安装类别: 表面安装 | ¥14.54374 |
 | TB62213AHQ,8 | 东芝 (Toshiba) | 电源电压: 4.75伏~5.25伏 输出电流: 2.4A 输出配置: 半桥（4） 技术: 功率MOSFET 供应商设备包装: 25-HZIP 安装类别: 通孔 | ¥44.5694 |
 | TB6588FG,8,EL,JU | 东芝 (Toshiba) | 电源电压: 7V ~ 42V 输出电流: 1.5A 输出配置: 半桥（3） 技术: 功率MOSFET 供应商设备包装: 36-HSOP 安装类别: 表面安装 | ¥39.90838 |
 | TB6634FNG,C,8,EL | 东芝 (Toshiba) | 电源电压: 6.5V ~ 16.5V 输出配置: 预驱动器-半桥（3） 技术: 互补式金属氧化物半导体 供应商设备包装: 30-SSOP 安装类别: 表面安装 | ¥13.03722 |
 | TB67S101AFNG,EL | 东芝 (Toshiba) | 电源电压: 4.75伏~5.25伏 输出电流: 3A 输出配置: 半桥（4） 技术: 功率MOSFET 供应商设备包装: 48-HTSSOP 安装类别: 表面安装 | ¥14.15842 |
TB6552FNG(O,C,8,EL所属分类：特殊用途晶体管，TB6552FNG(O,C,8,EL 由 东芝 (Toshiba) 设计生产，可通过久芯网进行购买。TB6552FNG(O,C,8,EL价格参考￥4.456006，你可以下载 TB6552FNG(O,C,8,EL中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询TB6552FNG(O,C,8,EL规格参数、现货库存、封装信息等信息！
东芝 (Toshiba)
东芝电子设备和存储公司提供了一系列支持技术解决方案，使OEM、ODM、CMs和无晶圆厂芯片公司能够为计算、网络、通信、数字消费、汽车和其他市场开发先进的集成产品。
