PESD5V0S1BA-N
- 描述:极性:双向 反向截止电压(Vrwm):5V 击穿电压(VBR):6V 钳位电压(Vc)@Ipp:21V
- 品牌: 伯恩半导体 (BORN)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
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1+ | 0.27305 | 0.27305 |
- 库存: 150
- 单价: ¥0.27306
-
数量:
- +
- 总计: ¥0.27
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规格参数
- 极性 双向
- 反向截止电压(Vrwm) 5V
- 击穿电压(VBR) 6V
- 峰值脉冲电流(Ipp)@8/20us 17A
- 钳位电压(Vc)@Ipp 21V
PESD5V0S1BA-N所属分类:电路保护套件 - 瞬态电压抑制二极管,PESD5V0S1BA-N 由 伯恩半导体 (BORN) 设计生产,可通过久芯网进行购买。PESD5V0S1BA-N价格参考¥0.273057,你可以下载 PESD5V0S1BA-N中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询PESD5V0S1BA-N规格参数、现货库存、封装信息等信息!
伯恩半导体 (BORN)
伯恩半导体(深圳)有限公司(BORNSEMI)是一家以自主研发设计、生产销售为主体的半导体公司,是专业从事保护器件和功率器件的晶元设计研发与生产销售的高新技术企业,是国际掌握半导体过压保护器件和保护集成...