收藏

LMBD914LT1G

Name: LMBD914LT1G
Brand: 乐山无线电 (LRC)
SKU: 27419736-LMBD914LT1G
Price: 0.063738 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:二极管配置：独立式功率：225mW 直流反向耐压(Vr)：100V 平均整流电流(Io)：200mA 正向压降(Vf)：1V 反向恢复时间(trr)：4ns
品牌: 乐山无线电 (LRC)
交期:2-3 工作日

渠道:

自营
得捷
贸泽

起订量: 1

数量	单价	合计
1+	0.06373	0.06373
100+	0.05794	5.79430
1000+	0.05287	52.87300

库存: 3000
单价: ¥0.06374
数量:
- +
总计: ¥0.06

在线询价

温馨提示: 请填写以下信息，以便客户代表及时与您沟通联系。

规格参数

二极管配置独立式
功率 225mW
直流反向耐压(Vr) 100V
平均整流电流(Io) 200mA
正向压降(Vf) 1V
反向电流(Ir) 5uA
反向恢复时间(trr) 4ns
工作温度 -55℃~+150℃@(Tj)

LMBD914LT1G 相关器件

型号	制造商	描述	价格
LMBPTL110C	邦纳 (Banner)	BRACKET: FOR USE WITH PTL110	¥94.1577
LMBPTL110F	邦纳 (Banner)	BRACKET: FOR USE WITH PTL110	¥57.9432
LMBT3904LT1G	乐山无线电 (LRC)	晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：40V 集电极电流(Ic)：200mA 功率(Pd)：225mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：100@10mA,1V	¥0.06446
LMBT4401LT1G	乐山无线电 (LRC)	晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：40V 集电极电流(Ic)：600mA 功率(Pd)：225mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：100@10mA,1V	¥0.09199
LMBT3906LT1G	乐山无线电 (LRC)	晶体管类型：PNP 集射极击穿电压(Vceo)：40V 集电极电流(Ic)：200mA 功率(Pd)：225mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：100@10mA,1V	¥0.05794
LMBT3904DW1T1G	乐山无线电 (LRC)	晶体管类型：2个NPN 集射极击穿电压(Vceo)：40V 集电极电流(Ic)：200mA 功率(Pd)：150mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：100@10mA,1V	¥0.10937
LMBT5551LT1G	乐山无线电 (LRC)	晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：160V 集电极电流(Ic)：600mA 功率(Pd)：225mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：80@10mA,5V	¥0.04636
LMBT2222ALT1G	乐山无线电 (LRC)	晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：40V 集电极电流(Ic)：600mA 功率(Pd)：225mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：100@150mA,10V	¥0.07171
LMBT5401LT1G	乐山无线电 (LRC)	晶体管类型：PNP 集射极击穿电压(Vceo)：150V 集电极电流(Ic)：500mA 功率(Pd)：225mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：60@10mA,5V	¥0.06229
LMBT4403LT1G	乐山无线电 (LRC)	晶体管类型：PNP 集射极击穿电压(Vceo)：40V 集电极电流(Ic)：600mA 功率(Pd)：225mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：100@10mA,1V	¥0.07605

LMBD914LT1G所属分类：单整流二极管，LMBD914LT1G 由乐山无线电 (LRC) 设计生产，可通过久芯网进行购买。LMBD914LT1G价格参考￥0.063738，你可以下载 LMBD914LT1G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询LMBD914LT1G规格参数、现货库存、封装信息等信息！