NSi6602B-DSWR
- 描述:驱动配置:半桥 负载类型:MOSFET 电源电压:7V~25V 峰值灌电流:4A 峰值拉电流:6A
- 品牌: 纳芯微 (NOVOSENSE)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
1+ | 14.89188 | 14.89188 |
10+ | 12.36962 | 123.69620 |
30+ | 10.98237 | 329.47119 |
100+ | 9.42697 | 942.69750 |
500+ | 8.72284 | 4361.42100 |
1000+ | 8.40755 | 8407.55800 |
- 库存: 3013
- 单价: ¥14.89189
-
数量:
- +
- 总计: ¥14.89
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规格参数
- 驱动配置 半桥
- 驱动通道数 2
- 负载类型 MOSFET
- 是否隔离 隔离
- 电源电压 7V~25V
- 峰值灌电流 4A
- 峰值拉电流 6A
- 上升时间 7ns
- 下降时间 6ns
- 传播延迟 tpLH 25ns
- 传播延迟 tpHL 25ns
- 特性 -
- 工作温度 -40℃~+125℃@(Ta)
NSi6602B-DSWR所属分类:栅极驱动器,NSi6602B-DSWR 由 纳芯微 (NOVOSENSE) 设计生产,可通过久芯网进行购买。NSi6602B-DSWR价格参考¥14.891888,你可以下载 NSi6602B-DSWR中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询NSi6602B-DSWR规格参数、现货库存、封装信息等信息!
纳芯微 (NOVOSENSE)
苏州纳芯微电子股份有限公司 (Suzhou Novosense Microelectronics Co., Ltd.) 是国内领先的信号链芯片及其解决方案提供商,聚焦传感器与数字隔离两大产品方向,并于 ...