IS62WVS2568GBLL-45NLI-TR
- 描述:
- 品牌: 美国芯成 (ISSI)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 11.41698 | 11.41698 |
| 100+ | 10.68545 | 1068.54500 |
- 库存: 0
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器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | IS600HGDV | 特里普 (Tripp Lite) | ISOLATOR SERIES DUAL-VOLTAGE 115 | ¥6,165.37377 |
 | IS61WV25616EDBLL-10TLI | 美国芯成 (ISSI) | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 2.4伏~3.6伏 供应商设备包装: 44-TSOP II | ¥15.98291 |
 | IS61WV25616BLL-10TLI | 美国芯成 (ISSI) | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 2.4伏~3.6伏 供应商设备包装: 44-TSOP II | ¥11.02369 |
 | IS61WV20488BLL-10MLI | 美国芯成 (ISSI) | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Mb (2M x 8) 电源电压: 2.4伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-miniBGA (9x11) | ¥180.33083 |
 | IS61WV10248EDBLL-10TLI | 美国芯成 (ISSI) | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 8Mb (1M x 8) 电源电压: 2.4伏~3.6伏 供应商设备包装: 44-TSOP II | ¥76.14095 |
 | IS61WV25616EDBLL-10BLI | 美国芯成 (ISSI) | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 2.4伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TFBGA (6x8) | ¥14.52129 |
 | IS66WVE2M16EBLL-70BLI | 美国芯成 (ISSI) | 存储类型: Volatile 存储格式: PSRAM 存储容量: 32Mb (2M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TFBGA (6x8) | ¥29.95193 |
 | IS62WVS5128FALL-16NLI | 美国芯成 (ISSI) | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 1.65伏~2.2伏 时钟频率: 16兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC | ¥48.42675 |
 | IS66WVC4M16ECLL-7010BLI | 芯成 (ISSI) | 存储类型: Volatile 存储格式: PSRAM 存储容量: 64Mb (4M x 16) 电源电压: 1.7伏～1.95伏 供应商设备包装: 54-VFBGA (6x8) | ¥45.05084 |
 | IS61C256AL-12JLI-TR | 芯成 (ISSI) | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-SOJ | ¥11.00921 |
IS62WVS2568GBLL-45NLI-TR所属分类：音频产品，IS62WVS2568GBLL-45NLI-TR 由 美国芯成 (ISSI) 设计生产，可通过久芯网进行购买。IS62WVS2568GBLL-45NLI-TR价格参考￥11.416983，你可以下载 IS62WVS2568GBLL-45NLI-TR中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询IS62WVS2568GBLL-45NLI-TR规格参数、现货库存、封装信息等信息！
美国芯成 (ISSI)
ISSI （芯成半导体有限公司）是Integrated Silicon Solution, Inc. 缩写。1988年成立，专门设计、开发、销售高性能存储半导体产品，用于Internet存储器件、网络设...
