MR210R2NBB
- 描述:
- 品牌: APEM公司 (APEM)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 10.68545 | 10.68545 |
- 库存: 30
- 单价: ¥10.68545
-
数量:
- +
- 总计: ¥10.69
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MR210R2NBB 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | MR2835SK | 安盛美 (onsemi) | 种类: Zener 典型反向偏差电压: 23伏 供应商设备包装: TOP CAN 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） 安装类别: 表面安装 | ¥7.82233 |
| MR27C64-25 | 英特尔 (Intel RealSense) | 27C64 - 64K (8K X 8) EPROM | ¥451.95696 |
 | MR256MMS-001 | 存储类型: microSDXC 存储容量: 256GB 速度: 10级、UHS 1级、U3级 技术: MLC 工作温度: -25摄氏度~85摄氏度 | ¥1,933.8543 | |
| MR27C64-20/B | 罗切斯特电子 (Rochester) | MR27C64-20/B | ¥764.9951 |
 | MR25H40DF | 埃弗斯宾半导体 (Everspin) | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 40兆赫 供应商设备包装: 8-DFN-EP, Small Flag (5x6) | ¥105.81877 |
| MR2764A-35/BZA | 罗切斯特电子 (Rochester) | DUAL MARKED (8200503ZA) | ¥720.37883 |
 | MR25H40CDC | 埃弗斯宾半导体 (Everspin) | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 40兆赫 供应商设备包装: 8-DFN-EP, Large Flag (5x6) | ¥149.05888 |
 | MR2A16AMA35 | 埃弗斯宾半导体 (Everspin) | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 48-FBGA (8x8) | ¥194.03729 |
 | MR2A16AYS35 | 埃弗斯宾半导体 (Everspin) | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP2 | ¥194.47187 |
 | MR2A16ACYS35 | 埃弗斯宾半导体 (Everspin) | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP2 | ¥152.52362 |
MR210R2NBB所属分类：音频产品，MR210R2NBB 由 APEM公司 (APEM) 设计生产，可通过久芯网进行购买。MR210R2NBB价格参考￥10.685450，你可以下载 MR210R2NBB中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询MR210R2NBB规格参数、现货库存、封装信息等信息！
APEM公司 (APEM)
60多年来，APEM一直是高质量微型和工业开关的领先制造商，提供业界最广泛的产品之一。APEM的产品组合包括不断扩大的HMI接口产品，包括开关、操纵杆、指示器和键盘。
