IS61WV5128FBLL-10TLI
- 描述:4Mb,High-Speed/Low Power,Async,5
- 品牌:
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
- 库存: 0
- 单价: --
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数量:
- +
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规格参数
- Series -
- Memory Type Volatile
- Memory Format SRAM
- Technology SRAM - Asynchronous
- Memory Size 4Mbit
- Memory Organization 512K x 8
- Memory Interface Parallel
- Clock Frequency -
- Write Cycle Time - Word, Page 10ns
- Access Time 10 ns
- Voltage - Supply 2.4V ~ 3.6V
- Operating Temperature -40°C ~ 85°C (TA)
- Mounting Type Surface Mount
- Package / Case 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
- Supplier Device Package 44-TSOP II
IS61WV5128FBLL-10TLI 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
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 | IS61WV25616BLL-10TLI | 美国芯成 (ISSI) | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 2.4伏~3.6伏 供应商设备包装: 44-TSOP II | ¥11.02369 |
 | IS61WV20488BLL-10MLI | 美国芯成 (ISSI) | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Mb (2M x 8) 电源电压: 2.4伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-miniBGA (9x11) | ¥180.33083 |
 | IS61WV10248EDBLL-10TLI | 美国芯成 (ISSI) | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 8Mb (1M x 8) 电源电压: 2.4伏~3.6伏 供应商设备包装: 44-TSOP II | ¥76.14095 |
 | IS61WV25616EDBLL-10BLI | 美国芯成 (ISSI) | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 2.4伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TFBGA (6x8) | ¥14.52129 |
 | IS66WVE2M16EBLL-70BLI | 美国芯成 (ISSI) | 存储类型: Volatile 存储格式: PSRAM 存储容量: 32Mb (2M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TFBGA (6x8) | ¥29.95193 |
 | IS62WVS5128FALL-16NLI | 美国芯成 (ISSI) | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 1.65伏~2.2伏 时钟频率: 16兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC | ¥48.42675 |
 | IS66WVC4M16ECLL-7010BLI | 芯成 (ISSI) | 存储类型: Volatile 存储格式: PSRAM 存储容量: 64Mb (4M x 16) 电源电压: 1.7伏～1.95伏 供应商设备包装: 54-VFBGA (6x8) | ¥45.05084 |
 | IS61C256AL-12JLI-TR | 芯成 (ISSI) | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-SOJ | ¥11.00921 |
IS61WV5128FBLL-10TLI所属分类：存储器，IS61WV5128FBLL-10TLI 由 设计生产，可通过久芯网进行购买。IS61WV5128FBLL-10TLI价格参考￥，你可以下载 IS61WV5128FBLL-10TLI中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询IS61WV5128FBLL-10TLI规格参数、现货库存、封装信息等信息！