IS21ES04G-JCLI
- 描述:IC FLASH 32GBIT EMMC 153VFBGA
- 品牌:
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
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规格参数
- Series -
- Memory Type Non-Volatile
- Memory Format FLASH
- Technology FLASH - NAND (MLC)
- Memory Size 32Gbit
- Memory Organization 4G x 8
- Memory Interface eMMC
- Clock Frequency 200 MHz
- Write Cycle Time - Word, Page -
- Access Time -
- Voltage - Supply 2.7V ~ 3.6V
- Operating Temperature -40°C ~ 85°C (TA)
- Mounting Type Surface Mount
- Package / Case 153-VFBGA
- Supplier Device Package 153-VFBGA (11.5x13)
IS21ES04G-JCLI 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
| IS2 | 瑞士佳乐 (Carlo Gavazzi) | 种类: 转换 输出类别: 否/NC 电源电压: 220VAC 包装/外壳: 法兰安装 工作温度: -25摄氏度~75摄氏度 | ¥549.58618 |
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| IS270C25RKE | 欧米特 (Ohmite) | IS270C25RKE | ¥123.99845 |
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 | IS29GL064-70TLET | 美国芯成 (ISSI) | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (8M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP I | ¥26.71502 |
 | IS25LP040E-JBLE | 美国芯成 (ISSI) | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC | ¥4.89113 |
 | IS25LP032D-JBLE | 美国芯成 (ISSI) | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (4M x 8) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC | ¥4.42448 |
 | IS25LP032D-JNLE | 美国芯成 (ISSI) | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (4M x 8) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-SOP | ¥10.28875 |
 | IS25WP128-RHLE | 美国芯成 (ISSI) | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 1.65伏～1.95伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 24-TFBGA (6x8) | ¥23.27144 |
 | IS25LP128F-RMLA3 | 美国芯成 (ISSI) | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 16-SOIC | ¥19.78929 |
IS21ES04G-JCLI所属分类：存储器，IS21ES04G-JCLI 由 设计生产，可通过久芯网进行购买。IS21ES04G-JCLI价格参考￥，你可以下载 IS21ES04G-JCLI中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询IS21ES04G-JCLI规格参数、现货库存、封装信息等信息！