MT40A4G4JC-062E:E
- 描述:DRAMDDR4Z32D16GB
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规格参数
- Series -
- Memory Type Volatile
- Memory Format DRAM
- Technology SDRAM - DDR4
- Memory Size 16Gbit
- Memory Organization 4G x 4
- Memory Interface POD
- Clock Frequency 1.6 GHz
- Write Cycle Time - Word, Page 15ns
- Access Time 19 ns
- Voltage - Supply 1.14V ~ 1.26V
- Operating Temperature 0°C ~ 95°C (TC)
- Mounting Type Surface Mount
- Package / Case 78-TFBGA
- Supplier Device Package 78-FBGA (9x11)
MT40A4G4JC-062E:E 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
| MT42-013 | 马克泰克 (Marktech) | PHOTO DETECTOR 0.8MM | ¥2,993.68903 |
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 | MT4LSDT864HY-133G2 | 镁光 (Micron) | 存储类型: SDRAM 存储容量: 64MB 速度: 133MHz 包装/外壳: 144-SODIMM | ¥1,050.73122 |
 | MT47H256M4HQ-5E:E TR | 镁光 (Micron) | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (256M x 4) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 60-FBGA (8x11.5) | ¥200.0489 |
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| MT40A1G8SA-075:E | 镁光 (Micron) | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 8Gb (1G x 8) 电源电压: 1.14伏～1.26伏 时钟频率: 1.33 GHz 供应商设备包装: 78-FBGA (7.5x11) | ¥37.31687 |
 | MT46V16M8TG-6T:D TR | 镁光 (Micron) | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP | ¥36.14207 |
| MT40A512M16LY-062E:E | 镁光 (Micron) | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 8Gb (512M x 16) 电源电压: 1.14伏～1.26伏 时钟频率: 1.6千兆赫 供应商设备包装: 96-FBGA（7.5x13.5） | ¥94.23013 |
 | MT48LC16M16A2P-6A XIT:G TR | 镁光 (Micron) | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II | ¥36.11046 |
 | MT48LC8M16A2P-6A XIT:L TR | 镁光 (Micron) | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II | ¥38.12828 |
MT40A4G4JC-062E:E所属分类：存储器，MT40A4G4JC-062E:E 由 设计生产，可通过久芯网进行购买。MT40A4G4JC-062E:E价格参考￥，你可以下载 MT40A4G4JC-062E:E中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询MT40A4G4JC-062E:E规格参数、现货库存、封装信息等信息！