R1LV1616HBG-4SI#S0
- 描述:IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48TFBGA
- 品牌:
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
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规格参数
- Series R1LV1616HBG-I
- Memory Type Volatile
- Memory Format SRAM
- Technology SRAM - Asynchronous
- Memory Size 16Mbit
- Memory Organization 1M x 16
- Memory Interface Parallel
- Clock Frequency -
- Write Cycle Time - Word, Page 45ns
- Access Time 45 ns
- Voltage - Supply 2.7V ~ 3.6V
- Operating Temperature -40°C ~ 85°C (TA)
- Mounting Type Surface Mount
- Package / Case 48-TFBGA
- Supplier Device Package 48-TFBGA (8x9.5)
R1LV1616HBG-4SI#S0 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
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 | R1LV5256ESA-7SI#B0 | 瑞萨电子 (Renesas) | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 28-TSOP | ¥27.45059 |
 | R1LP5256ESA-7SI#S0 | 瑞萨电子 (Renesas) | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-TSOP | ¥27.45059 |
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 | R1LV0108ESF-5SI#B0 | 瑞萨电子 (Renesas) | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 32-TSOP | ¥36.57665 |
 | R1LP0108ESA-5SI#B0 | 瑞萨电子 (Renesas) | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-sTSOP | ¥36.57665 |
 | R1LV0108ESN-7SI#B0 | 瑞萨电子 (Renesas) | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 32-SOP | ¥36.57665 |
 | R1LV0816ASB-7SI#S0 | 瑞萨电子 (Renesas) | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 8Mb (512K x 16) 电源电压: 2.4伏~3.6伏 供应商设备包装: 44-TSOP II | ¥175.85761 |
 | R1LV0816ASA-5SI#SK | 瑞萨电子 (Renesas) | SRAM 8MBIT 55NS | ¥175.85761 |
 | R1LV1616RSF-5SK#B0 | 瑞萨电子 (Renesas) | STANDARD SRAM, 1MX16, 55NS | ¥289.28143 |
R1LV1616HBG-4SI#S0所属分类：存储器，R1LV1616HBG-4SI#S0 由 设计生产，可通过久芯网进行购买。R1LV1616HBG-4SI#S0价格参考￥，你可以下载 R1LV1616HBG-4SI#S0中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询R1LV1616HBG-4SI#S0规格参数、现货库存、封装信息等信息！