起订量: 185
温馨提示: 请填写以下信息，以便客户代表及时与您沟通联系。
Diode TVS Single Uni-Dir 23V 2-Pin Case 460-02 T/R
Arrow Electronics
DigiKey
Avnet Americas
Rochester Electronics
Farnell
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | MR2835SK | 安盛美 (onsemi) | 种类: Zener 典型反向偏差电压: 23伏 供应商设备包装: TOP CAN 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） 安装类别: 表面安装 | ¥7.82233 |
 | MR27C64-25 | 英特尔 (Intel RealSense) | 27C64 - 64K (8K X 8) EPROM | ¥451.95696 |
 | MR256MMS-001 | 存储类型: microSDXC 存储容量: 256GB 速度: 10级、UHS 1级、U3级 技术: MLC 工作温度: -25摄氏度~85摄氏度 | ¥1,933.8543 | |
| MR27C64-20/B | 罗切斯特电子 (Rochester) | MR27C64-20/B | ¥764.9951 |
 | MR25H40DF | 埃弗斯宾半导体 (Everspin) | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 40兆赫 供应商设备包装: 8-DFN-EP, Small Flag (5x6) | ¥105.81877 |
| MR2764A-35/BZA | 罗切斯特电子 (Rochester) | DUAL MARKED (8200503ZA) | ¥720.37883 |
 | MR25H40CDC | 埃弗斯宾半导体 (Everspin) | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 40兆赫 供应商设备包装: 8-DFN-EP, Large Flag (5x6) | ¥149.05888 |
 | MR2A16AMA35 | 埃弗斯宾半导体 (Everspin) | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 48-FBGA (8x8) | ¥194.03729 |
 | MR2A16AYS35 | 埃弗斯宾半导体 (Everspin) | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP2 | ¥194.47187 |
 | MR2A16ACYS35 | 埃弗斯宾半导体 (Everspin) | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP2 | ¥152.52362 |
onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...
