概述ALD8100xx和ALD9100xx系列超级电容自动平衡MOSFET或SABTM MOSFET是EPAD� 设计用于解决串联超级电容器泄漏平衡的MOSFET。超级电容器也称为超级电容器或超级电容器，当两个串联连接时，可以使用ALD9100xx双封装进行平衡。两个、三个或四个串联的超级电容器可以通过ALD8100xx四芯封装进行平衡。ALD SAB MOSFET具有独特的电气特性，可用于有源连续漏电流调节和堆叠串联超级电容器的自平衡，同时可耗散接近零的漏电流，实际上消除了额外的功耗。对于许多应用，SAB MOSFET自动电荷平衡提供了一种简单、经济和有效的方法来平衡和调节超级电容电压。使用SAB MOSFET，串联堆叠中的每个超级电容都可以连续自动控制，以实现精确有效的超级电容泄漏电流和电压平衡。SAB MOSFET为其他基于无源电阻器或基于运算放大器的平衡方案提供了一种优越的替代方案，这些方案通常会由于所有电压电平的线性电流而导致持续的功耗。它们也是许多其他有源超级电容充电和平衡调节器IC的首选替代方案，其中成本、效率、复杂性和功耗的权衡是重要的设计考虑因素。SAB MOSFET通过在超级电容电压增加时以指数方式增加其在超级电容上的漏极电流，以及在超级电容的电压降低时以指数形式减少其在超级电极上的漏电流，来调节超级电容单元上的电压。当超级电容器堆叠中的超级电容器被充电到低于所需电压极限的90%时，超级电容器两端的SAB MOSFET被关断，并且SAB MOSFET的漏电流贡献为零。另一方面，当超级电容两端的电压超过期望的电压极限时，SAB MOSFET被接通以增加其漏极电流，以防止超级电容两端过电压升高。然而，堆中其他超级电容器的电压和泄漏同时降低，以保持接近零的净泄漏电流。ALD8100xx/ALD9100xx SAB MOSFET系列为用户提供了各种超级电容标称电压值和所需漏电平衡特性的不同阈值电压选择。每个SAB MOSFET通常需要将其V+引脚连接到封装内的最正电压，并将其V和IC引脚连接到最负电压。注意，每个漏极引脚都有一个内部反向偏置二极管连接到其源极引脚，每个栅极引脚都有反向偏置二极管到V-。所有其他引脚的电压必须在V+和V-电压范围内。还必须使用静电敏感设备的标准ESD保护设施和处理程序。订购信息（“L”后缀表示无铅（RoHS））
特点和优点使用简单且经济精确的工厂微调自动调节和平衡泄漏电流对超级电容器充电平衡有效使用单个IC封装平衡4个超级电容器平衡3个电池，4电池串联超级电容器可扩展到更大的超级电容器堆叠和阵列接近零附加泄漏电流在额定电压以下0.3V时零泄漏串联和并联平衡泄漏电流是电池电压的指数函数有源电流范围从>1000�A始终激活，始终快速响应时间最小化泄漏电流和功耗
应用系列串联超级电容器电池泄漏平衡能量收集选定电压下的零功率分压器匹配电流镜和电流源零功率模式最大电压限制器缩放的超级电容器堆叠和阵列
*联系工厂了解工业温度范围或用户指定的阈值电压值。典型应用程序
两个超级电容器组的典型连接示意图
两个超级电容器堆叠的串联连接，每个堆叠具有单独的SAB-MOSFET封装
ALD910026跨两个超级电容堆叠的连接示例，每个堆叠都有一个单独的SAB-MOSFET封装
