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STP120NF10是MOSFET N-CH 100V 110A TO-220，包括STripFET？II系列，它们设计用于管式包装，单位重量如数据表注释所示，适用于0.050717盎司，具有通孔等安装方式功能，包装箱设计用于to-220-3，以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ）。此外，安装类型为通孔，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的TO-220AB，配置为单一，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为312W，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为100V，输入电容Cis-Vds为5200pF@25V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为110A（Tc），最大Id Vgs的Rds为10.5 mOhm@60A，10V，Vgs的最大Id为4V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为233nC@10V，Pd功耗为312 W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为68 ns，上升时间为90ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为120A，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Rds导通漏极-漏极电阻为10.5mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为132ns，典型导通延迟时间为25ns，正向跨导最小值为90S，信道模式是增强。
STP120NF04是由ST制造的MOSFET N-CH 40V 120A TO-220。STP120NF 04采用TO-220-3封装，是FET的一部分-单体，并支持MOSFET N-CH40V 120V TO-220、N沟道40V 120B（Tc）300W（Tc）通孔TO-220AB。
STP120NH03L是由ST制造的MOSFET N-CH 30V 60A TO-220。STP120NH03L以TO-220-3封装形式提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH30V 60A-TO-220、N沟道30V-60A（Tc）110W（Tc）通孔TO-220AB。
