9icnet为您提供由onsemi设计和生产的NUS5531MTR2G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。NUS5531MTR2G参考价格为0.36000美元。onsemi NUS5531MTR2G封装/规格：MOSFET/BJT SGL P-CH 12V 8-WDFN。您可以下载NUS5531MTR2G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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NUS5530MNR2G是IC MOSFET W/PNP SW TRANS 8-DFN，包括NUS5530MN系列，它们设计用于切割胶带（CT）替代包装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.001319盎司，提供SMD/SMT等安装类型功能，额定电流设计用于2A PNP、3.9A P通道以及8-VDFN暴露焊盘包装箱，该器件也可以用作Si技术。此外，安装类型为表面安装，该器件提供35V PNP，20V P沟道额定电压，该器件具有通用用途，供应商器件封装为8-DFN-EP（3.3x3.3），晶体管类型为NPN，P沟道，Pd功耗为635mW，Vgs栅源电压为-35V，Id连续漏电流为-3.9 a，Vds漏极-源极击穿电压为-20V，Rds漏极源极电阻为200欧姆，晶体管极性为P沟道，正向跨导最小值为12S。
NUS3116MTR2G是IC MOSFET MAIN SW DUAL BJT 8-DFN，包括8-DFN（3x3）供应商设备包，它们设计用于与8-WDFN暴露焊盘封装外壳一起工作，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），提供电池数量功能，例如，功能设计用于电源管理，以及488；506BC-01；MT；8图纸编号。
NUS3065MUTAG是IC OVP LOW PRO W/MOSFET 8-TLLGA，包括过电压保护应用，它们设计用于750μa电流源，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，其工作温度范围为-40°C~85°C，包装箱设计用于8-UFLGA，以及磁带和卷轴（TR）包装，该设备也可以用作8-LLGA（3x2.5）供应商设备包。此外，电源电压为3 V ~ 25 V。
