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GN2012AINE3
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GN2012AINE3

  • 描述:电源电压: 2.805伏~3.465伏 最大频率: 11.7Gbps 电线数量: two 供应商设备包装: 32-QFN 安装类别: 表面安装
  • 品牌: 先科电子 (Semtech)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

  • 库存: 0
  • 单价: ¥69.92035
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥69.92
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 安装类别 表面安装
  • 锁相回路 -
  • 输入值 -
  • 输出 -
  • 输入比率 / 输出比率 -
  • 输入差分 / 输出差分 -
  • 工作温度 -
  • 包装/外壳 -
  • 用途 以太网、光纤通道、SONET/SDH
  • 电线数量 two
  • 制造厂商 先科电子 (Semtech)
  • 供应商设备包装 32-QFN
  • 最大频率 11.7Gbps
  • 电源电压 2.805伏~3.465伏
  • 特点 -

GN2012AINE3 产品详情

GN2012AINE3是一款集成的双向CDR和限幅放大器,适用于XFP SONET、10GBase LR以太网和8.5Gb/s光纤通道应用。

传输路径由可选的输入均衡、多速率Tx CDR和去加重驱动器组成。接收路径包括具有可编程均衡的限幅放大器、多速率Rx CDR和输出去加重。发射和接收方向都提供了极性反转、环回、输出静音和可编程输出均衡的选项。

GN2012AINE3是一种高度可编程的设备,具有支持DWDM应用的功能。这些包括可编程片级调整、可编程限幅放大器峰值和可编程采样相位。

GN2012AINE3具有集成的模数转换器,通过串行接口提供电源电压、管芯温度和眼睛监测器的数字诊断信息。

GN2012AINE3可配置用于多速率操作,并可在单个设备中同时支持8G光纤通道、10GbE和SONET OC-192。

GN2012AINE3器件封装在5mm×5mm 32引脚的小外形高频QFN封装中,带有外露焊盘。GN2012AINE3不含铅,封装化合物不含卤化阻燃剂。该组件和所有同质子组件均符合RoHS标准。

特色

  • 具有8.5Gb/s、9.95-11.3Gb/s和10.3-11.7Gb/s无参考操作的双CDR
  • 集成限幅放大器,灵敏度小于7mV
  • 通过I2C或SPI接口进行数字控制
  • 可编程抖动传输带宽
  • 双向回送
  • 极性反转和输出在发射和接收方向都可用
  • 任务模式眼睛监视器
  • PRBS生成器和检查器
  • 可编程限幅放大器均衡
  • 可编程发射输入均衡
  • 可编程输入片电平调整
  • 具有可调阈值和滞后的可编程服务水平
  • 可编程采样相位调整
  • 集成模数转换器,可访问电源电压和管芯温度的数字诊断信息
  • 单个3.3V电源(+5%/-15%)
  • 发送或接收恢复时钟的可编程16或64分频时钟输出
  • 5x5 32针QFN封装
  • -40°C至100°C外壳操作

应用

  • XFP和SFP+10Gb/s SONET光收发器
  • XFP和SFP+10G以太网光收发器
  • XFP和SFP+8.5Gb/s光纤通道收发器
  • SFP+线卡中继器
  • 40GbE CFP模块

订单代码

零件编号包装GN2012-INE332-QFN

GN2012AINE3所属分类:时钟/计时专用芯片,GN2012AINE3 由 先科电子 (Semtech) 设计生产,可通过久芯网进行购买。GN2012AINE3价格参考¥69.920349,你可以下载 GN2012AINE3中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询GN2012AINE3规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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Semtech Corporation是高质量模拟和混合信号半导体产品的领先供应商。该公司致力于为客户提供电源管理、保护、高级通信、人机界面、测试和维护方面的专有解决方案和突破性技术;测量,以及无线和传...

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