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QS5U34TR是MOSFET N-CH 20V 1.5A TSMT5，包括QS5U34系列，它们设计用于卷盘封装，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供封装盒功能，如TSMT-6，技术设计用于Si，以及1信道数信道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供700 mW Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为3 ns，上升时间为5 ns，Vgs栅极-源极电压为10 V，Id连续漏极电流为1.5 A，Vds漏极-源极击穿电压为20V，Rds漏极漏极-漏极电阻为130mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为20ns，典型接通延迟时间为5ns，Qg栅极电荷为1.8nC，沟道模式为增强。
QS5U36TR是MOSFET N Chan20V2.5A负载开关，包括10 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在20 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，典型的开启延迟时间显示在数据表注释中，用于6 ns，提供典型的关闭延迟时间功能，如30 ns，晶体管类型设计为在1 N通道中工作，该器件还可以用作Si技术。此外，该系列为QS5U36，器件的上升时间为15 ns，器件的漏极-源极电阻为81 mOhms，Pd功耗为900 mW，封装为卷轴式，封装盒为TSMT-5，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为2.5A，下降时间为15ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
QS5U34，电路图由ROHM制造。QS5U34在SOT-153封装中提供，是FET的一部分-单个。
QS5V9910-2SOC，带有QS制造的EDA/CAD模型。QS5V9910-2SOC在SOP24封装中提供，是IC芯片的一部分。
