9icnet为您提供由德州仪器公司设计和生产的CDCDB800RSLR，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。CDCDB800RSLR参考价格为5.17000美元。Texas Instruments CDCDB800RSLR软件包/规格：用于PCIE G的8输出时钟缓冲器。您可以下载CDCDB800 RSLR英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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CDM22011-600LRFP SL带有引脚细节，包括CDM系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于0.211644盎司，提供安装方式功能，如通孔，商品名设计用于UltraMOS，以及to-220-3封装盒，该设备也可作为硅技术使用。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为25W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为23ns，上升时间为27ns，Vgs栅源电压为30V，Id连续漏极电流为11A，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Vgs栅极-源极阈值电压为2V，Rds导通漏极-漏极电阻为360mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为37ns，典型接通延迟时间为11ns，Qg栅极电荷为23.05nC，沟道模式为增强。
CDM22012-800LRFP SL，带有用户指南，包括2 V Vgs th栅极-源极阈值电压，它们设计为在30 V Vgs栅极-源电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于800 V，提供典型的开启延迟时间功能，如21.1 ns，典型的关闭延迟时间设计为171.2 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为UltraMOS，该器件采用Si技术，该器件具有系列CDM，上升时间为44.8ns，漏极-源极电阻Rds为450mOhms，Qg栅极电荷为52.4nC，Pd功耗为40W，封装为管，封装外壳为TO-220-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为12 A，下降时间为42.5 ns，配置为1 N通道，通道模式为增强型。
带有电路图的CDM2205-800FP SL，包括增强信道模式，它们设计为以单配置运行，数据表注释中显示了30 ns的下降时间，提供了Id连续漏电流特性，如5A，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，该装置也可以用作通孔安装型。此外，信道数为1信道，该器件采用TO-220-3封装盒，该器件具有封装管，Pd功耗为48W，Qg栅极电荷为17.4nC，Rds漏极-源极电阻为2.7欧姆，上升时间为27ns，串联为CDM，技术为Si，晶体管极性为N信道，晶体管类型为1N沟道，典型关断延迟时间为44ns，典型接通延迟时间为13ns，单位重量为0.211644oz，Vds漏极-源极击穿电压为800V，Vgs栅极-源极电压为30V，第Vgs栅极源极阈值电压为2V。
CDM22012-800LRFP带有EDA/CAD模型，包括UltraMOS商标，它们设计用于使用Si技术，系列如数据表注释所示，用于CDM，提供散装等包装功能。
