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M100G-E3/54是DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL，包括磁带和卷轴（TR）包装，它们设计用于DO-204AL、DO-41、轴向包装箱，安装类型如数据表注释所示，用于通孔，提供供应商设备包功能，如DO-204AL（DO-41），速度设计用于标准恢复>500ns、>200mA（Io），与标准二极管类型一样，该器件也可以用作1μA@400V电流反向泄漏Vr。此外，正向电压Vf Max If为1V@1A，该设备提供400V电压DC反向Vr Max，该设备具有1A的电流平均整流Io，反向恢复时间trr为2μs，其工作温度结范围为-50°C~150°C。
M100J-E3/54是DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL，包括1V@1A正向电压Vf Max。如果它们设计为在600V电压DC反向电压Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于DO-204AL（DO-41）的供应商设备包，其提供速度特性，如标准恢复>500ns，>200mA（Io），反向恢复时间trr设计为在2μs内工作，除了磁带和卷轴（TR）封装外，该器件还可以用作DO-204AL、DO-41、轴向封装外壳，其工作温度结范围为-50°C~150°C，该器件为通孔安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为1μa@600V，电流平均整流Io为1A。
M100J-E3/73是二极管GEN PURP 600V 1A DO204AL，包括1A电流平均整流Io，它们设计为在600V电流反向泄漏Vr下工作1μa，二极管类型如数据表注释所示，用于标准中，该标准提供安装类型特征，如通孔，其工作温度结范围为-50°C~150°C，以及DO-204AL、DO-41、，轴向包装盒，该设备也可以用作磁带盒（TB）包装。此外，反向恢复时间trr为2μs，该设备的标准恢复时间>500ns，速度>200mA（Io），该设备具有供应商设备包的DO-204AL（DO-41），电压DC反向Vr最大值为600V，电压正向Vf最大值If为1V@1A。
