Si4123-D-GT RF合成器为无线个人通信应用执行IF和双频低噪声RF频率合成。Si4123-D-GT IC通过大幅减少外部无源元件数量、消除外部VCO和变容二极管、提高功率效率和隔离硅中不需要的外部干扰,满足了个人无线通信对价格敏感、低功耗、高性能的要求。通过专有的自调整架构实现稳定、低相位噪声特性,无需外部调整或激光微调以实现部件公差匹配。
特色
- 最小温度范围:-40
- 最大温度范围:85
- 包装类型:TSSOP24
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- 包装类型:TSSOP24
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
1+ | 68.30054 | 68.30054 |
10+ | 62.62211 | 626.22113 |
25+ | 56.92919 | 1423.22985 |
100+ | 51.23627 | 5123.62750 |
250+ | 46.96644 | 11741.61000 |
500+ | 42.69689 | 21348.44800 |
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Si4123-D-GT RF合成器为无线个人通信应用执行IF和双频低噪声RF频率合成。Si4123-D-GT IC通过大幅减少外部无源元件数量、消除外部VCO和变容二极管、提高功率效率和隔离硅中不需要的外部干扰,满足了个人无线通信对价格敏感、低功耗、高性能的要求。通过专有的自调整架构实现稳定、低相位噪声特性,无需外部调整或激光微调以实现部件公差匹配。
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