Si4112-D-GM RF合成器为无线个人通信应用执行IF和双频低噪声RF频率合成。Si4112-D-GM IC通过大幅减少外部无源元件数量、消除外部VCO和变容二极管、提高功率效率和隔离硅中不需要的外部干扰,满足了个人无线通信对价格敏感、低功耗、高性能的要求。通过专有的自调整架构实现稳定、低相位噪声特性,无需外部调整或激光微调以实现部件公差匹配。
特色
- 最小温度范围:-40
- 最大温度范围:85
- 包装类型:QFN28
- 最小温度范围:-40
- 最大温度范围:85
- 包装类型:QFN28
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
1+ | 46.06484 | 46.06484 |
10+ | 42.22610 | 422.26107 |
25+ | 38.38737 | 959.68425 |
80+ | 34.54863 | 2763.89064 |
230+ | 31.66972 | 7284.03675 |
490+ | 28.79052 | 14107.35872 |
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Si4112-D-GM RF合成器为无线个人通信应用执行IF和双频低噪声RF频率合成。Si4112-D-GM IC通过大幅减少外部无源元件数量、消除外部VCO和变容二极管、提高功率效率和隔离硅中不需要的外部干扰,满足了个人无线通信对价格敏感、低功耗、高性能的要求。通过专有的自调整架构实现稳定、低相位噪声特性,无需外部调整或激光微调以实现部件公差匹配。
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