9icnet为您提供由Silicon Labs设计和生产的SI5341D-B05241-GM，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI5341D-B05241-GM参考价格12.89754美元。Silicon Labs SI5341D-B05241-GM封装/规格：IC时钟发生器PLL。您可以下载SI5341D-B05241-GM英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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RF051VA2STR是DIODE GEN PURP 200V 500MA TUMD2，包括RF051VA2S系列，它们设计用于快速恢复整流器产品，包装如数据表注释所示，用于Digi-ReelR替代包装，提供SMD/SMT等安装类型功能，包装箱设计用于2-SMD、扁平引线以及表面安装安装类型，该设备也可以用作TUMD2供应商设备包。此外，该配置为单一配置，该设备提供快速恢复=200mA（Io）速度，该设备具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为10μa@200V，电压正向Vf Max If为980mV@500mA，电压直流反向Vr Max为200V，电流平均整流Io为500mA，反向恢复时间trr为25ns，其工作温度结范围为150°C（最大），最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，Vf正向电压为980 mV，Vr反向电压为200 V，Ir反向电流为10 uA，If正向电流为500 mA，最大浪涌电流为5 A，恢复时间为25 ns。
RF051VA1STR是DIODE GEN PURP 100V 500MA TUMD2，包括980mV@500MA正向电压Vf Max。如果它们设计为在100V电压DC反向Vr Max下工作，则数据表说明中显示了用于TUMD2的供应商设备包，该设备提供快速恢复=20mA（Io）等速度特性，该设备也可以用作磁带和卷轴（TR）包装。此外，封装外壳为2-SMD，扁平引线，其工作温度结范围为150°C（最大值），器件具有安装型表面安装，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为10μa@100V，电流平均整流Io为500mA。
RF051VA1S TR，带有ROHM制造的电路图。RF051VA1S TR提供2-SMD扁平引线封装，是二极管、整流器-单体的一部分，并支持二极管GEN PURP 100V 500MA TUMD2。
RF051VA2S，带有ROHM制造的EDA/CAD模型。RF051VA2S采用SOD323封装，是二极管、整流器-单体的一部分。
