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SI4124DY-T1-GE3是MOSFET N-CH 40V 20.5A 8-SOIC，包括卷轴封装，它们设计用于SI4124DY-GE3零件别名，单位重量显示在数据表注释中，用于0.006596盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装外壳设计用于SOIC-Norrow-8，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有2.5 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为11 ns，上升时间为14 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为13.6 a，Vds漏极-源极击穿电压为40V，Rds漏极源极导通电阻为7.5mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为38ns，典型接通延迟时间为30ns，沟道模式为增强型。
SI4124DY-T1-E3是MOSFET N-CH 40V 20.5A 8-SOIC，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在40 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.006596盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如30 ns，典型的关闭延迟时间设计为38 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为14ns，器件的漏极-源极电阻为7.5mOhms，Pd功耗为2.5W，零件别名为SI4124DY-E3，封装为卷轴，封装外壳为SOIC窄-8，通道数为1通道，安装样式为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为13.6 A，下降时间为11 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
SI4126BM是由SILICONIX制造的IC合成器WLAN RF2/IF 28MLP。SI4126BM采用28-VFQFN外露衬垫封装，是时钟/定时-时钟发生器、PLL、频率合成器的一部分，并支持IC合成器WLAN RF2/IF 28MLP。
