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SI4114DY-T1-E3是MOSFET N-CH 20V 20A 8-SOIC,包括卷轴封装,它们设计用于SI4114DY-E3零件别名,单位重量显示在数据表注释中,用于0.006596盎司,提供SMD/SMT等安装方式功能,封装外壳设计用于SOIC-Norrow-8,以及Si技术,该设备也可以用作1信道数信道。此外,该配置为单一配置,该器件为1 N沟道晶体管类型,该器件具有2.5 W的Pd功耗,其最大工作温度范围为+150 C,其最小工作温度范围是-55 C,下降时间为30 ns,上升时间为13 ns,Vgs栅极-源极电压为16 V,Id连续漏极电流为15.2 a,Vds漏极-源极击穿电压为20V,Rds导通漏极-漏极电阻为6mOhms,晶体管极性为N沟道,典型关断延迟时间为60ns,典型接通延迟时间为30ns,沟道模式为增强型。
SI4113M-EVB是SI4113的电路板评估,包括0.001764盎司的单位重量,它们设计用于合成器类型,提供的内容显示在数据表注释中,用于提供SI4113等系列功能的电路板,用于相关产品,设计用于SI4113。
Si4114DY,带有VISHAY制造的电路图。Si4114DY在SOP-8封装中提供,是FET的一部分-单个。