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SI4124DY-T1-GE3是MOSFET N-CH 40V 20.5A 8-SOIC，包括卷轴封装，它们设计用于SI4124DY-GE3零件别名，单位重量显示在数据表注释中，用于0.006596盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装外壳设计用于SOIC-Norrow-8，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有2.5 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为11 ns，上升时间为14 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为13.6 a，Vds漏极-源极击穿电压为40V，Rds漏极源极导通电阻为7.5mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为38ns，典型接通延迟时间为30ns，沟道模式为增强型。
SI4126-BM是集成电路合成器WLAN RF2/IF 28MLP，包括2.7 V~3.6 V电源，它们设计为与频率合成器类型一起工作，数据表说明中显示了用于28-QFN（5x5）的供应商设备包，该设备提供比输入：输出功能，如1899/12/30 1:02:00，PLL设计为在Yes模式下工作，该器件也可以用作28-VFQFN暴露焊盘封装盒。此外，输出为时钟，工作温度范围为-40°C~85°C，设备有1个电路，安装类型为表面安装，输入为晶体，最大频率为2.3GHz，分频器乘数为是/否，差分输入：输出为否/否。
SI4126BM是由SILICONIX制造的IC合成器WLAN RF2/IF 28MLP。SI4126BM采用28-VFQFN外露衬垫封装，是时钟/定时-时钟发生器、PLL、频率合成器的一部分，并支持IC合成器WLAN RF2/IF 28MLP。
