TLC556CDR系列是使用TI LinCMOSTM工艺制造的单片定时电路，该工艺与CMOS、TTL和MOS逻辑完全兼容，工作频率高达2MHz。由于输入阻抗高，与NE556相比，使用更小、更便宜的定时电容器可以实现精确的时间延迟和振荡。在整个电源电压范围内，功耗较低。
与NE556一样，TLC556CDR的触发电平约为电源电压的三分之一
阈值电平大约为电源电压的三分之二。这些电平可以通过使用控制电压端子来改变。当触发输入低于触发电平时，触发器被置位，输出变高。如果触发输入高于触发电平并且阈值输入高于阈值电平，则触发器复位并且输出为低。复位输入可覆盖所有其他输入，并可用于启动新的定时周期。如果复位输入为低，则触发器复位，输出为低。每当输出低时，在放电端子和接地之间提供低阻抗路径。
虽然CMOS输出能够吸收超过100 mA的电流，并提供超过10 mA的电流源，但TLC556CDR在输出转换期间显示出大大减少的电源电流峰值。这将NE556所需的大型去耦电容器的需求降至最低。
这些设备具有内部静电放电（ESD）保护电路，可防止在MIL-STD-883C方法3015测试的电压高达2000 V时发生灾难性故障。然而，在处理这些设备时应小心，因为暴露于ESD可能会导致设备参数性能下降。
所有未使用的输入应连接到适当的逻辑电平，以防止错误触发。
TLC556C的特点是在0°C至70°C的温度范围内工作。TLC556I的特点是在-40°C至85°C的温度范围内工作。TLC556M的特点是在-55°C至125°C的全军事温度范围内运行
特色
- 非常低的功耗。。。VDD=5 V时的2 mW典型值
- 能够在稳定模式下运行
- CMOS输出可实现轨间摆动
- 高输出电流能力接收器100 mA Typ源10 mA Typ
- 输出完全兼容CMOS、TTL和MOS
- 低电源电流减少输出转换期间的尖峰
- 从2 V到15 V的单电源操作
- 与NE556功能互换；具有相同的引出线
LinCMOS是
