71256L20YG 5V CMOS SRAM的结构为32K x 8。该电路还提供了低功耗待机模式,从而显著节省了系统级电源和冷却。低功耗(L)版本还提供电池备份数据保留功能,允许在2V电池下运行。采用全静态异步电路;操作不需要时钟或刷新。提供军用级产品。
特色
- 高速地址/芯片选择时间–军用:25/35/45/55/70/85/100ns(最大值)
- 商业/工业:20/25/35ns(最大值)仅低功率
- 低功率运行
- 电池备份操作–2V数据保留
- 直接输入和输出TTL兼容
- 可提供标准28针(300或600密耳)陶瓷DIP、28针(500密耳)SOJ
- 军用产品符合MIL-STD-883,B类