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MAX5864ETM
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MAX5864ETM

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26+ 84.01764 2184.45864
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 功率（瓦特） -
  • 模拟供电电压 -
  • 数字供电电压 -
  • 安装类别 -
  • 包装/外壳 -
  • 供应商设备包装 -
  • 制造厂商 模拟器件公司 (Analog)
  • 位数 -
  • 通道数量 -
  • 特点 -
  • 色彩/颜色 -

MAX5864ETM 产品详情

MAX5864ETM超低功耗、高度集成的模拟前端非常适合手机、PDA、WLAN和3G无线终端等便携式通信设备。MAX5864ETM集成了双8位接收ADC和双10位发送DAC，同时在超低功耗下提供最高的动态性能。ADC的模拟I-Q输入放大器是全差分的，可接受1VP-P满量程信号。典型的I-Q信道相位匹配为±0.1°，幅度匹配为±0.03dB。ADC在fIN=5.5MHz和fCLK=22Msps时具有48.5dB的SINAD和69dBc的无杂散动态范围（SFDR）。DAC的模拟I-Q输出为全差分，满量程输出为±400mV，共模电平为1.4V。典型的I-Q信道相位匹配为±0.15°，振幅匹配为±0.05dB。DAC还具有双10位分辨率，具有71.7dBc SFDR，在fOUT=2.2MHz和fCLK=22MHz时具有57dB SNR。对于频分双工（FDD）和时分双工（TDD）模式，ADC和DAC同时或独立地操作。3线串行接口控制断电和收发器操作模式。在fCLK＝22Msps时，典型的工作功率为42mW，其中ADC和DAC在收发器模式下同时工作。MAX5864ETM具有在整个工作电源范围和温度范围内稳定的内部1.024V电压基准。MAX5864ETM在+2.7V至+3.3V模拟电源和+1.8V至+3.3 V数字I/O电源上运行，以实现逻辑兼容性。怠速模式下的静态电流为5.6mA，停机模式下的电流为1μA。MAX5864ETM适用于扩展的（-40°C至+85°C）温度范围，可提供48引脚薄QFN封装。请参阅引脚兼容AFE完整系列的参数表。

特色

  • 集成双8位ADC和双10位DAC
  • 超低功耗
    • f时42mWCLK公司=22MHz（收发器模式）
    • f时34mWCLK公司=15.36MHz（收发器模式）
    • 低电流怠速和停机模式
  • 卓越的动态性能
    • f处48.5dB SINAD中=5.5MHz（模数转换器）
    • f处71.7dB SFDR输出=2.2MHz（DAC）
  • 出色的增益/相位匹配
    • ±0.1°相位，f时±0.03dB增益中=5.5MHz（模数转换器）
  • 内部/外部参考选项
  • +1.8V至+3.3V数字输出电平（TTL/CMOS兼容）
  • ADC/DAC的多路并行数字输入/输出
  • 微型48针薄型QFN封装（7mm x 7mm）
  • 可用评估套件（订购最大5865evkit)

应用

  • 3G无线终端
  • 固定/移动宽带无线调制解调器
  • 窄带/宽带CDMA手机
  • 个人数字助理


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器件图
型号
制造商
描述
价格
MAX14K500DMAX14K500D多美尔 (Vishay Foil)电阻: 14.5 kOhms 公差: ±0.5% 功率（瓦特）: 0.3W 组成成分: 金属箔 包装/外壳: 径向的 工作温度: -65摄氏度~175摄氏度¥76.81096
MAX11K000BMAX11K000B多美尔 (Vishay Foil)电阻: 11千欧姆 公差: ±0.1% 功率（瓦特）: 0.3W 组成成分: 金属箔 包装/外壳: 径向的 工作温度: -65摄氏度~175摄氏度¥80.46862
MAX32K000BMAX32K000B多美尔 (Vishay Foil)电阻: 32 kOhms 公差: ±0.1% 功率（瓦特）: 0.3W 组成成分: 金属箔 包装/外壳: 径向的 工作温度: -65摄氏度~175摄氏度¥101.91847
MAX33K850BMAX33K850B多美尔 (Vishay Foil)电阻: 33.85 kOhms 公差: ±0.1% 功率（瓦特）: 0.3W 组成成分: 金属箔 包装/外壳: 径向的 工作温度: -65摄氏度~175摄氏度¥101.91847
MAX39K000BMAX39K000B多美尔 (Vishay Foil)电阻: 39 kOhms 公差: ±0.1% 功率（瓦特）: 0.3W 组成成分: 金属箔 包装/外壳: 径向的 工作温度: -65摄氏度~175摄氏度¥101.91847
MAX43K000BMAX43K000B多美尔 (Vishay Foil)电阻: 43 kOhms 公差: ±0.1% 功率（瓦特）: 0.3W 组成成分: 金属箔 包装/外壳: 径向的 工作温度: -65摄氏度~175摄氏度¥101.91847
MAX49K000BMAX49K000B多美尔 (Vishay Foil)电阻: 49 kOhms 公差: ±0.1% 功率（瓦特）: 0.3W 组成成分: 金属箔 包装/外壳: 径向的 工作温度: -65摄氏度~175摄氏度¥101.91847
MAX55K000BMAX55K000B多美尔 (Vishay Foil)电阻: 55 kOhms 公差: ±0.1% 功率（瓦特）: 0.3W 组成成分: 金属箔 包装/外壳: 径向的 工作温度: -65摄氏度~175摄氏度¥101.91847
MAX58K000BMAX58K000B多美尔 (Vishay Foil)电阻: 58 kOhms 公差: ±0.1% 功率（瓦特）: 0.3W 组成成分: 金属箔 包装/外壳: 径向的 工作温度: -65摄氏度~175摄氏度¥101.91847
MAX59K000BMAX59K000B多美尔 (Vishay Foil)电阻: 59 kOhms 公差: ±0.1% 功率（瓦特）: 0.3W 组成成分: 金属箔 包装/外壳: 径向的 工作温度: -65摄氏度~175摄氏度¥101.91847
MAX5864ETM所属分类：模拟前端（AFE）芯片，MAX5864ETM 由 模拟器件公司 (Analog) 设计生产，可通过久芯网进行购买。MAX5864ETM价格参考￥84.017640，你可以下载 MAX5864ETM中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询MAX5864ETM规格参数、现货库存、封装信息等信息！

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