DP8570AV用于基于微处理器的系统，其中需要信息用于多任务、数据记录或一般时间/日期信息。该器件采用低压硅栅microCMOS技术实现，以在备用电池环境中提供低待机功率。该电路的架构看起来像是一个连续的内存块或I/O端口。地址空间被组织为32字节的2个软件可选页面。这包括控制寄存器、时钟计数器、报警比较RAM、计时器及其数据RAM和时间节省RAM。任何未用于其预期用途的RAM位置都可用作通用CMOS RAM。
时间和日期以BCD格式、12或24小时模式从1/100秒保持到年和闰年。提供星期日、月日和年日计数器。时间由片上晶体振荡器控制，只需添加晶体和两个电容器。晶体频率的选择是程序可选择的。
提供两个独立的多功能10 MHz 16位定时器。这些计时器以四种模式运行。每个都有自己的预分频器，可以选择8个可能的时钟输入中的任何一个。因此，通过编程输入时钟和定时器计数器值，可以实现非常宽的定时持续时间范围。范围从约400纳秒（4.915 MHz振荡器）到65535秒（18小时，12分钟）。
芯片上集成了电源故障逻辑和控制功能。TCP使用此逻辑发出电源故障
中断并锁定μp接口。当VBB>VCC时，电源故障时间可自动记录到RAM中。此外，还提供了两个电源引脚。当VBB>VCC时，内部电路将自动从主电源切换到电池电源。提供状态位以指示电池电量、系统电量和低电量检测的初始应用。
特色
- 全功能实时时钟/日历
- 12/24小时模式计时
- 星期日和年份计数器
- 四个可选振荡器频率
- 并联谐振振荡器
- 两个16位计时器
- 10 MHz外部时钟频率
- 可编程多功能输出
- 灵活的再触发设施
- 电源故障功能
- 外部电池的内部电源开关
- 电源总线故障保护
- 断电时自动将时间记录到RAM中
- 片上中断结构
- 周期性、报警、计时器和电源故障中断
- 高达44字节的CMOS RAM
- INTR/MFO/T1引脚可编程高/低和推挽或漏极开路
TRI-STATE是美国国家半导体公司的注册商标。
（尺寸：390486）WebDIRECT搜索
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R.R.Donnelley&Sons公司的全资子公司。
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